恩智浦半导体
产品数据表
PNP通用晶体管
BC856W ; BC857W ; BC858W
手册， halfpage
1000
MGT715
的hFE
800
1200
手册， halfpage
VBE
（毫伏）
1000
800
(1)
MGT716
600
(1)
(2)
600
400
200
(3)
400
(2)
200
(3)
0
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
I C （毫安）
0
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
I C （毫安）
BC857BW;
V
CE
=
5
V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
BC857BW;
V
CE
=
5
V.
(1) T
AMB
=
55 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 150
°C.
Fig.6
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.7
基极 - 发射极间电压的一个函数
集电极电流;典型值。
10
4
手册， halfpage
VCEsat晶体管
（毫伏）
10
3
MGT717
手册， halfpage
1200
VBEsat
（毫伏）
1000
800
MGT718
(1)
(2)
600
(3)
10
2
(1)
400
200
(3) (2)
10
10
1
1
10
10
2
10
3
I C （毫安）
0
10
1
1
10
10
2
10
3
I C （毫安）
BC857BW;
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
BC857BW;
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
=
55 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 150
°C.
Fig.8
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
Fig.9
基极 - 发射极饱和电压作为
集电极电流的函数;典型值。
2002年2月04
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