恩智浦半导体
产品数据表
PNP通用晶体管
特征
T
AMB
= 25
°C;
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
参数
集电极 - 基极截止电流
BC856W ; BC857W ; BC858W
条件
V
CB
=
30
V ;我
E
= 0
V
CB
=
30
V ;我
E
= 0;
T
j
= 150
°C
分钟。
125
125
125
220
420
典型值。
1
75
250
700
850
650
马克斯。
15
4
100
475
800
250
475
800
300
600
750
820
3
12
10
单位
nA
μA
nA
I
EBO
h
FE
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
BC856W
BC857W ; BC858W
BC856AW ; BC857AW
BC856BW ; BC857BW
BC857CW
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0
I
C
=
2
毫安; V
CE
=
5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.5
mA
I
C
=
100
毫安;我
B
=
5
毫安;
注1
mV
mV
mV
mV
mV
mV
pF
pF
兆赫
dB
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.5
mA
I
C
=
100
毫安;我
B
=
5
毫安;
注1
V
BE
C
c
C
e
f
T
F
基射极电压
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
噪声系数
I
C
=
2
毫安; V
CE
=
5
V
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
5
V
V
CB
=
10
V ;我
E
= I
e
= 0;
F = 1 MHz的
V
EB
=
0.5
V ;我
C
= I
c
= 0;
F = 1 MHz的
V
CE
=
5
V ;我
C
=
10
毫安;
F = 100 MHz的
I
C
=
200 μA;
V
CE
=
5
V;
R
S
= 2 k ; F = 1千赫
B = 200赫兹
600
100
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
μs; δ ≤
0.02.
2002年2月04
4
