BC 856W ... BC 860W
PNP
通用晶体管
PNP
表面贴装硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflchenmontage
功耗 - Verlustleistung
2
±0.1
0.3
3
200毫瓦
SOT-323
0.01 g
1
±0.1
1.25
±0.1
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
TYPE
CODE
1
2
1.3
尺寸/集体单位为毫米
1=B
2=E
3=C
最大额定值（T
A
= 25
/
C)
BC 856W
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
峰值发射极电流 - 发射极Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
- V
CE0
- V
CB0
- V
EB0
P
合计
- I
C
- I
CM
- I
BM
I
EM
T
j
T
S
65 V
80 V
2.1
±0.1
Grenzwerte （T
A
= 25
/
C)
BC 857W
BC 860W
45 V
50 V
5V
200毫瓦
1
)
百毫安
200毫安
200毫安
200毫安
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
BC 858W
BC 859W
30 V
30 V
特性（T
j
= 25
/
C)
A组
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
2
)
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10
:
A
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 2毫安
h
FE
h
FE
（典型值） 。 90
110...220
（典型值） 。 220
1.6...4.5 k
S
18 < 30
:
S
typ.1.5 * 10
-4
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
B组
（典型值） 。 150
200...450
（典型值） 。 330
3.2...8.5 k
S
30 < 60
:
S
（典型值） 。 2 * 10
-4
C组
（典型值） 。 270
420...800
（典型值） 。 600
6...15 k
S
60 < 110
:
S
（典型值） 。 3 * 10
-4
H-参数为 - V
CE
= 5V ， - 我
C
= 2毫安， F = 1千赫
小信号电流增益 - Stromverstrkung
fe
输入阻抗 - Eingangs - Impedanz
输出导纳 - Ausgangs - Leitwert
反向电压传输比
Spannungsrückwirkung
1
h
ie
h
oe
h
re
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
2
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
16
01.11.2003
通用晶体管
特性（T
j
= 25
/
C)
分钟。
集电极饱和电压。 - Kollektor - Sttigungsspannung
1
)
- I
C
= 10毫安， - 我
B
- 0.5毫安
- I
C
= 100毫安， - 我
B
= 5毫安
- I
C
= 10毫安， - 我
B
- 0.5毫安
- I
C
= 100毫安， - 我
B
= 5毫安
基射极电压 - 基射极Spannung
1
)
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 2毫安
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10毫安
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, - V
CB
= 30 V
I
E
= 0, - V
CB
= 30 V ，T
j
= 150
/
C
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
C
= 0, - V
EB
= 5 V
增益带宽积 - Transitfrequenz
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
- V
CB
= 10 V，I
E
= i
e
= 0中，f = 1 MHz的
噪声系数 - Rauschzahl
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 200
:
A
R
G
= 2 k
S
， F = 1 kHz时，
)
F = 200赫兹
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 200
:
A
R
G
= 2 k
S
， F = 30 ... 15千赫
BC 856W ...
F
BC 858W
BC 859W ...
BC860W
BC 859W
BC 860W
F
F
–
–
–
–
R
THA
f
T
C
CB0
100兆赫
–
- I
EB0
–
- I
CB0
- I
CB0
–
–
- V
BEON
- V
BEON
600毫伏
–
-V
CESAT
-V
CESAT
- V
BESAT
- V
BESAT
–
–
–
–
BC 856W ... BC 860W
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
典型值。
75毫伏
250毫伏
700毫伏
850毫伏
650毫伏
–
–
–
–
–
10 pF的
马克斯。
300毫伏
600毫伏
–
–
750毫伏
820毫伏
15 nA的
4
:
A
100 nA的
–
12 pF的
基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
1
)
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
–
–
–
–
10分贝
4分贝
4分贝
4分贝
620 K / W
2
)
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补NPN晶体管
Empfohlene komplementre NPN - Transistoren
BC 856AW = 3A
可用的电流增益标记
每类群体
Stempelung德lieferbaren Strom-
verstrkungsgruppen亲典型值
BC 857AW = 3E
BC 858AW = 3J
BC 846W ... BC 850W
BC 856BW = 3B
BC 857BW = 3F
BC 858BW = 3K
BC 859BW = 4B
BC 860BW = 4F
BC 857CW = 3G
BC 858CW = 3L
BC 859CW = 4C
BC 860CW = 4G
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
01.11.2003
1
2
17
PNP硅晶体管自动对焦
BC 856W ... BC 860W
特点
q
对于AF输入级和驱动器应用
q
高电流增益
q
低集电极 - 发射极饱和电压
q
30 Hz至15 kHz的低噪音
q
互补类型：BC 847W ，BC 848W ，
BC 849W ， 850W BC （ NPN ）
TYPE
公元前856 AW
公元前856 BW
公元前857 AW
公元前857 BW
公元前857 CW
公元前858 AW
公元前858 BW
公元前858 CW
公元前859 AW
公元前859 BW
公元前859 CW
公元前860 BW
公元前860 CW
记号
3As
3Bs
3Es
3Fs
3Gs
3Js
3Ks
3Ls
4As
4Bs
4Cs
4Fs
4Gs
订购代码
（磁带和卷轴）
Q62702-C2335
Q62702-C2292
Q62702-C2293
Q62702-C2294
Q62702-C2295
Q62702-C2296
Q62702-C2297
Q62702-C2298
Q62702-C2299
Q62702-C2300
Q62702-C2301
Q62702-C2302
Q62702-C2303
引脚配置
1
2
3
B
E
C
包
1)
SOT-323
1)
为
详细信息，请参阅本章包装说明。
半导体集团
1
04.96
BC 856W ... BC 860W
最大额定值
描述
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
总功耗，
T
S
= 115 C
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
1)
结 - 焊接点
R
日JA
R
日JS
≤
240
≤
105
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
j
T
英镑
BC 856W 857W BC BC 858W单位
BC 860W BC 859W
65
80
80
5
45
50
50
5
100
200
250
150
-65到150
30
30
30
5
V
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
K / W
K / W
半导体集团
2
BC 856W ... BC 860W
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安
BC 856W
BC 857W ， 860W BC
BC 858W ， 859W BC
V
(BR)CE0
65
45
30
80
50
30
80
50
30
V
(BR)EB0
I
CB0
–
–
h
FE
–
–
–
125
220
420
V
CESAT
–
–
V
BESAT
–
–
V
BE（上）
600
–
650
–
750
820
700
850
–
–
75
250
300
650
140
250
480
180
290
520
–
–
–
250
475
800
mV
–
–
15
5
nA
A
–
5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
V
值
典型值。
马克斯。
单位
集电极 - 基极击穿电压
V
(BR)CB0
I
C
= 10
A
BC 856W
BC 857W ， 860W BC
BC 858W ， 859W BC
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10
A,
V
BE
= 0
BC 856W
BC 857W ， 860W BC
BC 858W ， 859W BC
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1
A
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V
V
CB
= 30 V,
T
A
= 150 C
直流电流增益
I
C
= 10
A,
V
CE
= 5 V
公元前856 AW ...公元前859 AW
公元前856 BW ......公元前860 BW
公元前857 CW ......公元前860 CW
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V
公元前856 AW ...公元前859 AW
公元前856 BW ......公元前860 BW
公元前857 CW ......公元前860 CW
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，
I
B
= 5毫安
基射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，
I
B
= 5毫安
基射极电压
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V
1)
脉冲
V
（ BR ） CES
测试：
t
≤
300
s,
D
= 2 %.
半导体集团
3
BC 856W ... BC 860W
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
输出电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
输入电容
V
CB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
短路输入阻抗
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前856 AW ...公元前859 AW
公元前856 BW ......公元前860 BW
公元前857 CW ......公元前860 CW
开路反向电压传输比
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前856 AW ...公元前859 AW
公元前856 BW ......公元前860 BW
公元前857 CW ......公元前860 CW
短路正向电流传输比
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前856 AW ...公元前859 AW
公元前856 BW ......公元前860 BW
公元前857 CW ......公元前860 CW
开路输出导纳
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前856 AW ...公元前859 AW
公元前856 BW ......公元前860 BW
公元前857 CW ......公元前860 CW
噪声系数
I
C
= 0.2毫安，
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2 k
f
= 30 Hz的... 15千赫
BC 859W
BC 860W
BC 859W
f
= 1千赫，
f
= 200赫兹
BC 860W
等效噪声电压
I
C
= 0.2毫安，
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2 k
f
= 10赫兹... 50赫兹
BC 860W
半导体集团
4
值
典型值。
马克斯。
单位
f
T
C
敖包
C
IBO
h
11e
–
–
–
250
3
10
–
–
–
兆赫
pF
k
–
–
–
2.7
4.5
8.7
–
–
–
10
– 4
–
–
–
1.5
2.0
3.0
–
–
–
–
–
–
–
200
330
600
–
–
–
S
h
12e
h
21e
h
22e
–
–
–
F
–
–
–
–
V
n
1.2
1.0
1.0
1.0
4
3
4
4
18
30
60
–
–
–
dB
V
–
–
0.110
BC856AW - BC858CW
PNP表面贴装小信号晶体管
特点
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
非常适合自动插入
可提供互补NPN类型
(BC846W-BC848W)
对于开关和AF放大器应用
案例： SOT- 323 ，模压塑料
外壳材料 - UL防火等级
分类科幻阳离子94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020A等级1
码头：每MIL -STD- 202，方法
208
引脚连接：见图
标识代码：见下表&图
第2页
订购&日期代码信息：参见第2页
约。重量： 0.006克
标识代码（注2 ）
TYPE
BC856AW
BC856BW
BC857AW
BC857BW
记号
K3A
K3B
K3V ， K3A
K3W ， K3B
TYPE
BC857CW
BC858AW
BC858BW
BC858CW
记号
K3G
K3J ， K3A ， K3V
K3K ， K3B ， K3W
K3L ， K3G
SOT-323
A
C
B C
B
G
H
K
M
E
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
D
F
L
民
0.25
1.15
2.00
0.30
1.20
1.80
0.0
0.90
0.25
0.10
0°
最大
0.40
1.35
2.20
0.40
1.40
2.20
0.10
1.00
0.40
0.18
8°
机械数据
0.65标称
J
L
M
a
尺寸：mm
最大额定值
集电极 - 基极电压
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BC856
BC857
BC858
BC856
BC857
BC858
V
CBO
价值
-80
-50
-30
-65
-45
-30
-5.0
-100
-200
-200
200
625
-65到+150
单位
V
特征
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
EM
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
V
V
mA
mA
mA
mW
° C / W
°C
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值发射极电流
功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境（注1 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ，可以在ourwebsite找到在http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
2.电流增益小组“C”不适用于BC856W 。
DS30251修订版A- 2
1 2
BC856AW - BC858CW
电气特性
特征
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BC856
BC857
BC858
BC856
BC857
BC858
V
（ BR ） CBO
民
-80
-50
-30
-65
-45
-30
-5
125
220
420
—
—
—
-600
—
—
—
100
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
180
290
520
-75
-250
-700
-850
-650
—
—
—
200
3
—
最大
—
—
—
—
—
—
—
250
475
800
-300
-650
—
-950
-750
-820
-15
-4.0
—
4.5
10
单位
V
测试条件
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压（注3 ）
集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
I
CBO
I
CBO
f
T
C
CBO
NF
V
V
—
mV
mV
mV
nA
A
兆赫
pF
dB
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
I
E
= 1mA时，我
C
= 0
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -2.0mA
I
C
= -10mA ，我
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA ，我
B
= -5.0mA
I
C
= -10mA ，我
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA ，我
B
= -5.0mA
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -2.0mA
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -10mA
V
CB
= -30V
V
CB
= -30V ，T
A
= 150°C
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -10mA ，
F = 100MHz的
V
CB
= -10V ， F = 1.0MHz的
V
CE
= -5.0V ，我
C
= 200A,
R
S
= 2千瓦， F = 1kHz时，
Df
= 200Hz的
发射极 - 基极击穿电压（注3 ）
DC电流增益（注3）
电流增益A组
B
C
集电极 - 发射极饱和电压（注3 ）
基射极饱和电压（注3 ）
基射极电压（注3 ）
集电极截止电流（注3 ）
增益带宽积
集电极 - 基极电容
噪声系数
注意事项：
3.短持续时间脉冲测试，以尽量减少自热效应。
订购信息
设备
BC85xxW-7*
（注4 ）
包装
SOT-323
航运
3000 /磁带&卷轴
注意事项：
4.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
* XX =设备类型，例如BC856AW -7。
标识信息
XXX
XXX =产品型号标识代码（见第1页） ，例如： K3A = BC856AW
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
FEB
2
1999
K
三月
3
2000
L
APR
4
五月
5
2001
M
JUN
6
JUL
7
2002
N
八月
8
SEP
9
2003
P
十月
O
NOV
N
2004
R
DEC
D
DS30251修订版A- 2
YM
2 2
BC856AW - BC858CW
SPICE模型： BC856AW BC856BW BC857AW BC857BW BC857CW BC858AW BC858BW BC858CW
无铅绿色
BC856AW - BC858CW
PNP表面贴装小信号晶体管
特点
·
·
·
·
·
非常适合自动插入
互补NPN类型可用（ BC846W - BC848W ）
对于开关和AF放大器应用
无铅/符合RoHS （注3 ）
"Green"设备（注4和5）
B
G
H
K
M
E
B C
A
C
SOT-323
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
J
D
F
L
民
0.25
1.15
2.00
0.30
1.20
1.80
0.0
0.90
0.25
0.10
0°
最大
0.40
1.35
2.20
0.40
1.40
2.20
0.10
1.00
0.40
0.18
8°
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
·
案例： SOT- 323
外壳材料：模压塑料， "Green"成型
复合，注意5. UL可燃性分类
等级94V -0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火
合金引线框架42 ） 。
引脚连接：见图
标识代码：见下表&图第2页
订购&日期代码信息：参见第2页
重量： 0.006克（近似值）
0.65标称
K
L
M
a
尺寸：mm
标识代码（注2 ）
TYPE
BC856AW
BC856BW
BC857AW
BC857BW
记号
K3A
K3B
K3V ， K3A
K3W ， K3B
TYPE
BC857CW
BC858AW
BC858BW
BC858CW
记号
K3G
K3J ， K3A ， K3V
K3K ， K3B ， K3W
K3L ， K3G
最大额定值
集电极 - 基极电压
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BC856
BC857
BC858
BC856
BC857
BC858
V
CBO
价值
-80
-50
-30
-65
-45
-30
-5.0
-100
-200
-200
200
625
-65到+150
单位
V
特征
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
EM
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
V
V
mA
mA
mA
mW
° C / W
°C
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值发射极电流
功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境（注1 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ，它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.电流增益小组“C”不适用于BC856W 。
3.没有故意添加铅。
4.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
与日期代码0609 （第9周， 2006年）和较新的制造5.产品都建有绿色塑封料。前日期产品制造
代码0609顷建有非绿色塑封料，可能含有卤素或三氧化二锑阻燃剂。
DS30251启示录7 - 2
1第3
www.diodes.com
BC856AW - BC858CW
Diodes公司
电气特性
特征
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BC856
BC857
BC858
BC856
BC857
BC858
V
（ BR ） CBO
民
-80
-50
-30
-65
-45
-30
-5
125
220
420
—
—
—
-600
—
—
—
100
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
180
290
520
-75
-250
-700
-850
-650
—
—
—
200
3
—
最大
—
—
—
—
—
—
—
250
475
800
-300
-650
—
-950
-750
-820
-15
-4.0
—
4.5
10
单位
V
测试条件
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压（注6 ）
集电极 - 发射极击穿电压（注6 ）
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
I
CBO
I
CBO
f
T
C
CBO
NF
V
V
—
mV
mV
mV
nA
A
兆赫
pF
dB
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
I
E
= 1mA时，我
C
= 0
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -2.0mA
I
C
= -10mA ，我
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA ，我
B
= -5.0mA
I
C
= -10mA ，我
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA ，我
B
= -5.0mA
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -2.0mA
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -10mA
V
CB
= -30V
V
CB
= -30V ，T
A
= 150°C
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -10mA ，
F = 100MHz的
V
CB
= -10V ， F = 1.0MHz的
V
CE
= -5.0V ，我
C
= 200A,
R
S
= 2千瓦， F = 1kHz时，
Df
= 200Hz的
发射极 - 基极击穿电压（注6 ）
直流电流增益（注4 ）
电流增益A组
B
C
集电极 - 发射极饱和电压（注6 ）
基射极饱和电压（注6 ）
基射极电压（注6 ）
集电极截止电流（注6 ）
增益带宽积
集电极 - 基极电容
噪声系数
订购信息
设备
BC85xxW-7-F
（注5 & 7 ）
包装
SOT-323
航运
3000 /磁带&卷轴
* XX =设备类型，例如BC856AW -7。
注意事项：
与日期代码0609 （第9周， 2006年）和较新的制造5.产品都建有绿色塑封料。产品制造之前
日期代码0609顷建有非绿色塑封料，可能含有卤素或三氧化二锑阻燃剂。
6.短持续时间脉冲测试，以尽量减少自热效应。
7.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
XXX
XXX =产品型号标识代码（见第1页） ，例如： K3A = BC856AW
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
1998
J
MONTH
CODE
1999
K
2000
L
JAN
1
2001
M
FEB
2
2002
N
三月
3
2003
P
APR
4
2004
R
五月
5
2005
S
JUN
6
2006
T
JUL
7
2007
U
八月
8
2008
V
SEP
9
2009
W
十月
O
2010
X
2011
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
DS30251启示录7 - 2
YM
2 3
www.diodes.com
BC856AW - BC858CW
250
P
D
，功耗（毫瓦）
0.5
V
CE （ SAT ）
，集电极到发射极
饱和电压（ V）
I
C
I
B
= 10
200
0.4
150
0.3
100
0.2
T
A
= 25°C
T
A
= 150°C
50
0.1
T
A
= -50°C
0
0.1
1
10
100
1000
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 1 ，最大功耗与
环境温度
1000
T
A
= 150°C
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 2集电极发射极饱和电压
与集电极电流
1000
f
t
，增益带宽积（兆赫）
V
CE
= 5V
V
CE
= 5V
h
FE
，直流电流增益
100
T
A
= 25°C
T
A
= -50°C
100
10
1
1
10
100
1000
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 3 ，直流电流增益（B组）与集电极电流
10
1
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 4 ，增益带宽积VS集电极电流
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变化没有进一步的权利
注意任何产品在此。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;也不
它转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险，并会
同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上，反对一切损害无害的所有公司。
生命支持
未经明确的书面批准Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的总裁。
DS30251启示录7 - 2
3 3
www.diodes.com
BC856AW - BC858CW
SPICE模型： BC856AW BC856BW BC857AW BC857BW BC857CW BC858AW BC858BW BC858CW
无铅绿色
BC856AW - BC858CW
PNP表面贴装小信号晶体管
特点
·
·
·
·
·
非常适合自动插入
互补NPN类型可用（ BC846W - BC848W ）
对于开关和AF放大器应用
无铅/符合RoHS （注3 ）
"Green"设备（注4和5）
B
G
H
K
M
E
B C
A
C
SOT-323
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
J
D
F
L
民
0.25
1.15
2.00
0.30
1.20
1.80
0.0
0.90
0.25
0.10
0°
最大
0.40
1.35
2.20
0.40
1.40
2.20
0.10
1.00
0.40
0.18
8°
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
·
案例： SOT- 323
外壳材料：模压塑料， "Green"成型
复合，注意5. UL可燃性分类
等级94V -0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火
合金引线框架42 ） 。
引脚连接：见图
标识代码：见下表&图第2页
订购&日期代码信息：参见第2页
重量： 0.006克（近似值）
0.65标称
K
L
M
a
尺寸：mm
标识代码（注2 ）
TYPE
BC856AW
BC856BW
BC857AW
BC857BW
记号
K3A
K3B
K3V ， K3A
K3W ， K3B
TYPE
BC857CW
BC858AW
BC858BW
BC858CW
记号
K3G
K3J ， K3A ， K3V
K3K ， K3B ， K3W
K3L ， K3G
最大额定值
集电极 - 基极电压
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BC856
BC857
BC858
BC856
BC857
BC858
V
CBO
价值
-80
-50
-30
-65
-45
-30
-5.0
-100
-200
-200
200
625
-65到+150
单位
V
特征
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
EM
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
V
V
mA
mA
mA
mW
° C / W
°C
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值发射极电流
功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境（注1 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ，它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.电流增益小组“C”不适用于BC856W 。
3.没有故意添加铅。
4.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
与日期代码0609 （第9周， 2006年）和较新的制造5.产品都建有绿色塑封料。前日期产品制造
代码0609顷建有非绿色塑封料，可能含有卤素或三氧化二锑阻燃剂。
DS30251启示录7 - 2
1第3
www.diodes.com
BC856AW - BC858CW
Diodes公司
电气特性
特征
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BC856
BC857
BC858
BC856
BC857
BC858
V
（ BR ） CBO
民
-80
-50
-30
-65
-45
-30
-5
125
220
420
—
—
—
-600
—
—
—
100
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
180
290
520
-75
-250
-700
-850
-650
—
—
—
200
3
—
最大
—
—
—
—
—
—
—
250
475
800
-300
-650
—
-950
-750
-820
-15
-4.0
—
4.5
10
单位
V
测试条件
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压（注6 ）
集电极 - 发射极击穿电压（注6 ）
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
I
CBO
I
CBO
f
T
C
CBO
NF
V
V
—
mV
mV
mV
nA
A
兆赫
pF
dB
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
I
E
= 1mA时，我
C
= 0
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -2.0mA
I
C
= -10mA ，我
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA ，我
B
= -5.0mA
I
C
= -10mA ，我
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA ，我
B
= -5.0mA
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -2.0mA
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -10mA
V
CB
= -30V
V
CB
= -30V ，T
A
= 150°C
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -10mA ，
F = 100MHz的
V
CB
= -10V ， F = 1.0MHz的
V
CE
= -5.0V ，我
C
= 200A,
R
S
= 2千瓦， F = 1kHz时，
Df
= 200Hz的
发射极 - 基极击穿电压（注6 ）
直流电流增益（注4 ）
电流增益A组
B
C
集电极 - 发射极饱和电压（注6 ）
基射极饱和电压（注6 ）
基射极电压（注6 ）
集电极截止电流（注6 ）
增益带宽积
集电极 - 基极电容
噪声系数
订购信息
设备
BC85xxW-7-F
（注5 & 7 ）
包装
SOT-323
航运
3000 /磁带&卷轴
* XX =设备类型，例如BC856AW -7。
注意事项：
与日期代码0609 （第9周， 2006年）和较新的制造5.产品都建有绿色塑封料。产品制造之前
日期代码0609顷建有非绿色塑封料，可能含有卤素或三氧化二锑阻燃剂。
6.短持续时间脉冲测试，以尽量减少自热效应。
7.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
XXX
XXX =产品型号标识代码（见第1页） ，例如： K3A = BC856AW
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
1998
J
MONTH
CODE
1999
K
2000
L
JAN
1
2001
M
FEB
2
2002
N
三月
3
2003
P
APR
4
2004
R
五月
5
2005
S
JUN
6
2006
T
JUL
7
2007
U
八月
8
2008
V
SEP
9
2009
W
十月
O
2010
X
2011
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
DS30251启示录7 - 2
YM
2 3
www.diodes.com
BC856AW - BC858CW
250
P
D
，功耗（毫瓦）
0.5
V
CE （ SAT ）
，集电极到发射极
饱和电压（ V）
I
C
I
B
= 10
200
0.4
150
0.3
100
0.2
T
A
= 25°C
T
A
= 150°C
50
0.1
T
A
= -50°C
0
0.1
1
10
100
1000
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 1 ，最大功耗与
环境温度
1000
T
A
= 150°C
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 2集电极发射极饱和电压
与集电极电流
1000
f
t
，增益带宽积（兆赫）
V
CE
= 5V
V
CE
= 5V
h
FE
，直流电流增益
100
T
A
= 25°C
T
A
= -50°C
100
10
1
1
10
100
1000
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 3 ，直流电流增益（B组）与集电极电流
10
1
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 4 ，增益带宽积VS集电极电流
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变化没有进一步的权利
注意任何产品在此。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;也不
它转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险，并会
同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上，反对一切损害无害的所有公司。
生命支持
未经明确的书面批准Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的总裁。
DS30251启示录7 - 2
3 3
www.diodes.com
BC856AW - BC858CW
BC856W系列
BC857W系列
表面贴装
PNP硅晶体管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体BC856W和
BC857W系列类型PNP硅晶体管
通过外延平面工艺，环氧树脂制
模制在一个超小
TM
表面贴装封装，
专为通用开关和放大器
应用程序。
标记验证码：看标识代码表
下页
SOT- 323案例
最大额定值：
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
功耗
工作和存储结温
热阻
电动
符号
ICBO
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCBO
BVCEO
BVCEO
BVEBO
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
VBE （ON）的
兴业银行
COB
fT
NF
注：反向铅代码可用，添加“R”来
的零件号结束，标识代码。
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IBM
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
BC857W
50
45
BC856W
80
65
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
° C / W
单位
nA
μA
nA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
pF
pF
兆赫
dB
BC857CW
民
最大
420
800
5.0
100
200
200
275
-65到+150
455
最大
15
4.0
100
特性：
（ TA = 25℃ ，除非
测试条件
VCB=30V
VCB = 30V ， TA = 150℃
VEB=5.0V
IC = 10μA （ BC857W ）
IC = 10μA （ BC856W ）
IC = 10毫安（ BC857W ）
IC = 10毫安（ BC856W ）
IE=10μA
IC = 10毫安， IB = 0.5毫安
IC = 100mA时IB = 5.0毫安
IC = 100mA时IB = 5毫安
IC = 2.0毫安， VCE = 5.0V
IC = 10毫安， VCE = 5.0V
VEB = 0.5V ， IC = 0 ， F = 1.0MHz的
VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的
VCE = 5.0V ， IC = 10毫安中，f = 100MHz的
VCE = 5.0V ， IC = 200μA ，
RS = 2.0KΩ ， F = 1.0KHz ， BW = 200Hz的
另有说明）
民
50
80
45
65
5.0
0.30
0.65
0.95
0.75
0.82
12
5.0
0.60
100
10
BC856BW
BC857BW
民
最大
220
475
的hFE
VCE = 5.0V ， IC = 2.0毫安
BC856AW
BC857AW
民
最大
125
250
R1 （ 2009年20月）
BC856W系列
BC857W系列
表面贴装
PNP硅晶体管
SOT- 323案例 - 机械外形
前导码：
标准
1）基础
2 ）辐射源
3 ）集电极
设备
BC856AW
BC856BW
BC857AW
BC857BW
BC857CW
* REVERSE
1 ）发射
2 ）基
3 ）集电极
标识代码
3AT
3BT
3ET
3FT
3GT
*倒车线代码可用，添加“R”来的结束
零件编号和标识代码。
R1 （ 2009年20月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
BC856AW/BW
BC857AW/BW/CW
BC858AW/BW/CW
PNP
通用
晶体管
SOT-323
A
D
特点
无铅涂层/符合RoHS （ "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息）
非常适合自动插入
可互补PNP硅类型
对于开关和AF放大器应用
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
水分动态敏感度等级1
最大额定值
工作温度： -65至+150
存储温度： -65至+150
标记： BC856AW --- 3A ; BC856BW --- 3B
BC857AW --- 3E ; BC857BW --- 3F ; BC857CW --- 3G
BC858AW --- 3J ; BC858BW --- 3K ; BC858CW --- 3L
C
C
B
电气特性@ 25
符号
参数
除非另有说明
民
最大
单位
B
F
E
E
开关特性
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10μAdc ，我
E
=0)
BC856AW,BW
BC857AW,BW,CW
BC858AW,BW,CW
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 10mAdc ，我
B
=0)
BC856AW,BW
BC857AW,BW,CW
BC858AW,BW,CW
集电极 - 发射极击穿电压
(I
E
= 10μAdc ，我
C
=0)
集电极截止电流（V
CB
=30v)
(V
CB
=30v,T
A
=150 )
直流电流增益（V
CE
= 5V ，我
C
=2mA)
BC856AW,BC857AW,BC858AW
BC856BW,BC857BW,BC858CW
BC857CW,BC858CW
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 100mA时我
B
=5mA)
基射极饱和电压
(I
C
= 100mA时我
B
=5mA)
跃迁频率
(VCE=5V,
I
C
= 10毫安中，f = 100MHz时）
噪声系数
(V
CE
=5v,Ic=200uA,Rs=2kohm,f=1kHz)
集电极 - 基极电容
(V
CB
=10v,f=1.0kHz)
功耗
热阻， Juncition到
环境
连续集电极电流 -
G
H
J
---
---
---
80
50
30
VDC
K
尺寸
英寸
民
最大
.071
.087
.045
.053
.079
.087
0.026名义
.047
.055
.012
.016
.000
.004
.035
.039
.004
.010
.012
.016
MM
民
最大
1.80
2.20
1.15
1.35
2.00
2.20
0.65Nominal
1.20
1.40
.30
.40
.000
.100
.90
1.00
.100
.250
.30
.40
V
（ BR ） CEO
---
---
---
---
---
125
220
420
---
---
100
---
---
---
---
---
65
45
30
5
15
4
250
475
800
0.65
1.10
200
10
4.5
150
625
100
VDC
V
（ BR ） EBO
I
CBO
H
FE(1)
VDC
NADC
uAdc
---
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
记
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
NF
C
CBO
Pd
R
JA
Ic
建议焊料
焊盘布局
0.70
VDC
VDC
0.90
兆赫
1.90
dB
pF
mW
/W
mA
0.65
0.65
英寸
mm
注1：晶体管安装在一FR4印刷电路板
修订版：A
www.mccsemi.com
1 5
2011/01/01
BC856A/BW;BC857A/B/CW;BC858A/B/CW
MCC
微型商业组件
TM
修订版：A
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2 5
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息：
设备
型号-TP
填料
Tape&Reel;3Kpcs/Reel
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改，恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上，反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件（ MCC ）正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件，具有完整的可追溯性，满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题，并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
www.mccsemi.com
修订版：A
5
2011/01/01
3
公司Bauelemente
符合RoHS产品
BC856AW ， BW
BC857AW ， BW ， CW
BC858AW ， BW ， CW
特点
非常适合自动插入
*用于切换自动对焦和放大器应用
*工作温度。 ： -55℃ + 150℃
O
O
SOT-323
A
L
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
C
民
1.800
1.150
最大
2.200
1.350
1.000
0.400
1.400
0.100
0.250
0.500
0.720
2.400
0.420
OLLE TOR
3
3
1
顶视图
2
B·S
0.800
0.300
1.200
0.000
0.100
0.350
0.590
2.000
0.280
1
B为E
3
V
G
2
ê MITTE
1
2
K
K
J
D
H
L
S
V
单位：mm外形尺寸
最大额定值* T
A
= 25°C除非另有说明
O
符号
V
CBO
参数
价值
单位
V
集电极 - 基极电压
BC856
BC857
BC858
-80
-50
-30
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
BC856
BC857
BC858
V
EBO
I
C
P
C*
T
J
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散
结温
储存温度
-65
-45
-30
-5
-0.1
150
150
-65~150
V
A
mW
O
C
C
O
*封装安装在FR4印刷电路板。
器件标识
BC856AW = 3A ; BC856BW = 3B ;
BC857AW = 3E ; BC857BW = 3F ; BC857CW = 3G ;
BC858AW = 3J ; BC858BW = 3K ： BC858CW = 3L
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
第1页
4
公司Bauelemente
BC856AW ， BW
BC857AW ， BW ， CW
BC858AW ， BW ， CW
BC856A / BW ， BC857A / BW ， BC858A / BW
典型特征
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的说明书中的任何改变将不被通知个人
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公司Bauelemente
BC856AW ， BW
BC857AW ， BW ， CW
BC858AW ， BW ， CW
BC856A / BW ， BC857A / BW ， BC858A / BW
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公司Bauelemente
BC856AW ， BW
BC857AW ， BW ， CW
BC858AW ， BW ， CW
BC856A / BW ， BC857A / BW ， BC858A / BW
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4
BC856AW BC859CW
PNP通用晶体管
电压
特点
0.087(2.20)
0.078(2.00)
30/45/65伏特
当前
200毫瓦
PNP硅外延，平面设计
集电极电流I
C
= 100毫安
免费（ NPN ）设备： BC846W / BC847W / BC848W /
BC849W系列
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
0.087(2.20)
0.070(1.80)
0.054(1.35)
0.045(1.15)
0.056(1.40)
0.047(1.20)
0.006(0.15)
0.002(0.05)
机械数据
案例： SOT- 323 ，塑料
终端：每MIL -STD- 750 ，方法2026焊性
约。重量：0.0001盎司， 0.005克
0.016(0.40)
0.008(0.20)
0.004(0.10)MAX.
0.044(1.10)
0.035(0.90)
器件标识：
BC856AW=56A
BC856BW=56B
BC857AW=57A
BC857BW=57B
BC857CW=57C
BC858AW=58A
BC858BW=58B
BC858CW=58C
BC859BW=59B
BC859CW=59C
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
BC856W
BC857W
BC858W ， BC859W
BC856W
BC857W
BC858W ， BC859W
BC856W
BC857W
BC858W ， BC859W
符号
V
首席执行官
价值
-65
-45
-30
-80
-50
-30
6.0
6.0
-5.0
-100
200
-55到150
-55到150
单位
V
0.004(0.10)MIN.
通用放大器应用
集电极 - 基极电压
V
CBO
V
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
最大功率耗散（注1 ）
存储温度范围
结温范围
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
J
V
mA
mW
O
C
C
O
十二月17,2010 - REV.00
PAGE 。 1
BC856AW BC859CW
热特性
参数
符号
价值
单位
热阻
R
θJA
R
θJC
400
100
O
C / W
注1 ：晶体管安装在FR- 5板1.0× 0.75× 0.062英寸
电气特性（T
J
=25
O
C，除非另有说明）
PA RA M E TE
C 0 LLE C到的R - é英里TTE 重新akdo WN武LTA阁B
( I
C
= - 1 0 mA时，我
B
= 0 )
C 0 LLE C到的R - 重新akdo WN武LTA阁B酶B
( I
C
= - 1 0
μ
A，I
E
= 0 )
英里TTE -B一个发E B再A K D 2 O W N武LTA克é
( I
E
= - 1微安，我
C
= 0 )
英里TTE -B A S式C反对派FF C-UR重新新台币
( V
E B
= -5 V )
C 0 LLE C到R- B A S式C反对派FF C-UR重新新台币
( V
C B
-3 = 0 V，I
E
= 0 )
C C URR鄂西北嘎I N
( I
C
= - 1 0
μ
A，V
权证
= - 5 V )
C C URR鄂西北嘎I N
( I
C
= - 2 0.0米A，V
权证
= - 5 V )
T
J
= 2 5
O
C
T
J
= 1 5 0
O
C
公元前8 5 6 公元前8 5 8秒uffi X " AW "
公元前8 5 6 公元前8 5 9 S uffi X " BW "
公元前8 5 7 公元前8 5 9 S uffi X " CW "
公元前8 5 6 公元前8 5 8秒uffi X " AW "
公元前8 5 6 公元前8 5 9 S uffi X " BW "
公元前8 5 7 公元前8 5 9 S uffi X " CW "
( I
C
= -1 0米A，I
B
= - 0 0.5米A）
( I
C
= - 1 0 0微米的，我
B
= - 5 0.0米A）
( I
C
= -1 0米A，I
B
= - 0 0.5米A）
( I
C
= - 1 0 0微米的，我
B
= - 5 0.0米A）
( I
C
= -2米A，V
权证
= -5 .0 V )
( I
C
= -1 0米A，V
权证
= -5 .0 V )
( V
C B
-1 = 0 V，I
E
= 0中，f = 1 M·H
Z
)
B C 8 5 6仙，B W
B C 8 5 7 AW / B W / C W，
B C 8 5 8 AW / B W / C W， B C 8 5 9 B W / C宽
B C 8 5 6仙，B W
B C 8 5 7 AW / B W / C W，
B C 8 5 8 AW / B W / C W， B C 8 5 9 B W / C宽
S YM B○升
分钟。
-65
-45
-30
-80
-50
-30
- 5 .0
典型值。
马克斯。
UNI TS
V
（ B R ）
权证
-
-
V
V
（ B R ）
C B
-
-
V
V
（ B R ）
E B
-
-
V
I
E B
I
C B
-
-
-1 0 0
-1 5
- 4 .0
nA
nA
μA
-
-
90
150
270
180
290
520
-
-
- 0 .7
- 0 .9
-
-
-
200
h
F ê
-
-
-
h
F ê
11 0
200
420
-
-
-
-
- 0 .6 0
-
-
-
220
450
800
- 0 .3
- 0 .6 5
-
-
- 0 .7 5
- 0 .8 2
4 .5
-
-
C 0 LLE C到的R - é英里TTE R 5对武LTA戈图拉缇
B一个发E - ê M I TTE R 5一土拉TI 0：N武LTA克é
B一个发E - ê M I TTE 武LTA克é
C 0 LLE C到的R - B A S式C一P A C I TA NC ê
urre NT-嘎我N-乙钕无线个P ，R 0 UC吨
( I
C
= - 1 0 mA时， V
权证
= -5 0.0 V，F = 1 0 0 MH
Z
)
V
权证（S AT ）
V
B E（ AT ）
V
B E（ ON）
C
CB
F.
V
V
V
pF
M·H
Z
十二月17,2010 - REV.00
PAGE 。 2
BC856AW BC859CW
贴装焊盘布局
SOT-323
订购信息
包装信息
T / R - 12K每13"塑料卷
T / R - 每7 “的塑料卷盘3K
法律声明
版权所有强茂国际有限公司2010
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如有更改，恕不另行通知。潘日新对其产品是否适合任何保证，声明或担保
任何特定用途。潘日新产品未被授权用于生命支持设备或系统使用。潘日新并没有传达任何
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十二月17,2010 - REV.00
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