恩智浦半导体
BC846 / BC546系列
65 V ， 100毫安NPN通用晶体管
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
I
CBO
条件
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
15
5
100
单位
nA
μA
nA
集电极 - 基极截止V
CB
= 30 V ;我
E
= 0 A
当前
V
CB
= 30 V ;我
E
= 0 A;
T
j
= 150
°C
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
h
FE
A组
h
FE
B组
直流电流增益
h
FE
A组
h
FE
B组
V
CESAT
V
BESAT
V
BE
f
T
C
c
C
e
NF
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射极电压
跃迁频率
V
CE
= 5 V ;我
C
= 10
μA
V
CE
= 5 V ;我
C
= 10
μA
V
CE
= 5 V ;我
C
= 2毫安
V
CE
= 5 V ;我
C
= 2毫安
V
CE
= 5 V ;我
C
= 2毫安
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V ;我
C
= 10毫安;
F = 100 MHz的
[1]
[2]
[2]
[3]
[3]
I
EBO
h
FE
V
EB
= 5 V ;我
E
= 0 A
-
-
110
110
200
-
-
-
-
580
-
100
-
-
-
180
290
-
180
290
90
200
760
900
660
-
-
2
11
2
-
-
450
220
450
200
400
-
-
700
770
-
3
-
10
mV
mV
mV
mV
mV
mV
兆赫
pF
pF
dB
集电极电容V
CB
= 10 V ;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
发射极电容
噪声系数
V
EB
= 0.5 V ;我
C
= i
c
= 0 A;
F = 1 MHz的
I
C
= 200
μA;
V
CE
= 5 V;
R
S
= 2 k ; F = 1千赫
B = 200赫兹
[1]
[2]
[3]
脉冲测试：吨
p
≤
300
μs; δ ≤
0.02.
V
BESAT
减小了大约1.7毫伏/ K随温度的升高。
V
BE
大约降低2毫伏/ K随温度的升高。
BC846_BC546_SER_7
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产品数据表
牧师07 - 2009年11月17日
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