SOT23封装PNP硅平面
通用晶体管
第6期 - 1997年4月
PARTMARKING详情
BC856A3A
BC856BZ3B
BC857AZ3E
BC857B3F
BC857C3G
BC858A3J
BC858B3K
BC858C3L
BC859AZ4A
BC859B4B
BC859CZ4C
BC860AZ4E
BC860B4F
BC860C4GZ
互补类型
BC856
BC857
BC858
BC859
BC860
BC846
BC847
BC848
BC849
BC850
BC856
BC858
BC860
BC857
BC859
C
B
SOT23
E
绝对最大额定值。
参数
符号
BC856
BC857
BC858
BC859
BC860
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲电流
基极电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储
温度范围
参数
符号
最大
集电极截止电流I
CBO
最大
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
EM
I
BM
I
EM
P
合计
T
j
:T
英镑
-80
-80
-65
-50
-50
-45
-30
-30
-30
-30
-30
-30
-5
-100
-200
-200
-200
330
-55到+150
-50
-50
-45
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
BC856 BC857 BC858 BC859 BC860
-15
-4
-75 -75
-300 -300
-75
-300
-250
-650
-300
-600
-700
-850
-600 -600
-650 -650
-750 -750
-600
-650
-750
-820
-580 -580
-650 -650
-750 -750
-75 -75
-250 -250
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
V
CE （ SAT ）
典型值
马克斯。
典型值
马克斯。
典型值
马克斯。
V
BE （ SAT ）
典型值
典型值
单位条件。
nA
V
CB
= -30V
V
CB
= -30V
A
Tamb=150°C
我毫伏
C
=-10mA,
I
B
=-0.5mA
我毫伏
C
=-100mA,
I
B
=-5mA
我毫伏
C
=-10mA*
mV
mV
mV
mV
I
C
=-10mA,
I
B
=-0.5mA
I
C
=-100mA,
I
B
=-5mA
I
C
=-2mA
V
CE
=-5V
I
C
=-10mA
V
CE
=-5V
基射极电压
V
BE
民
典型值
最大
最大
*集电极 - 发射极饱和电压在I
C
= 10毫安为特征经过
工作点我
C
= 11毫安，V
CE
= 1V恒定基极电流。
BC856
BC858
BC860
参数
噪声系数
BC857
BC859
电气特性（续）
符号
N
典型值
最大
典型值
最大
等效噪声
电压
动态
第六组
特征
A组
e
n
最大
BC856 BC857 BC858 BC859 BC860
2
10
2
10
2
10
1
4
1.2
4
110
h
ie
B组
C组
第六组
A组
B组
C组
第六组
A组
h
re
h
fe
B组
C组
第六组
A组
B组
C组
h
oe
民
典型值
最大
民
典型值
最大
民
典型值
最大
民
典型值
最大
典型值
典型值
典型值
典型值
民
典型值
最大
民
典型值
最大
民
典型值
最大
民
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
0.4
1.2
2.2
0.4
1.2
2.2
2.5
1.5
2
75
110
150
2.5
1.5
2
75
110
150
20
40
450
600
900
20
40
0.4
1.2
2.2
1.6
2.7
4.5
3.2
4.5
8.5
6
8.7
15
2.5
1.5
2
3
75
110
150
125
220
260
240
330
500
450
600
900
20
40
18
30
30
60
60
110
6
8.7
15
1.5
2
3
单位条件。
1分贝
V
CB
= -5V,
4分贝
I
C
=-200
A，R
G
=2k
,
f=1kHz,
f=200Hz
1分贝
V
CB
= -5V,
3分贝
I
C
=-200
A，R
G
=2k
,
F =为30Hz到15kHz的时
-3dB点
110纳伏
V
CB
= -5V,
I
C
=-200
A，R
G
=2k
,
F = 10Hz到50Hz的时
-3dB点
k
k
k
k
k
k
k
k
k
6 k
8.7 k
15 k
x10
-4
1.5 x10
-4
2 x10
-4
3 x10
-4
V
CE
=-5V
Ic=-2mA
f=1kHz
450
600
900
60
110
450
600
900
s
s
s
s
s
s
60
s
110
s
BC856
BC858
BC860
电气特性（续）
参数
STATIC
第六组
前锋
流动比率
A组
符号
h
FE
民
典型值
最大
典型值
h
FE
民
典型值
最大
典型值
典型值
h
FE
民
典型值
最大
典型值
h
FE
典型值。
民
典型值
最大
典型值
典型值
典型值
BC856 BC857 BC858 BC859 BC860
BC857
BC859
75
110
150
90
75
110
150
90
120
120
B组
C组
200
150
200
270
420
500
800
150
75
110
150
90
125
180
250
120
150
220
290
475
200
270
420
500
800
400
150
4.5
单位条件。
I
C
=-2mA,
V
CE
=-5V
I
C
=-0.01mA,V
CE
=-5V
I
C
=-2mA,
V
CE
=-5V
I
C
=-100mA,V
CE
=-5V
I
C
=-0.01mA,V
CE
=-5V
I
C
=-2mA,
V
CE
=-5V
I
C
=-100mA,V
CE
=-5V
I
C
=-0.01mA,
V
CE
=-5V
I
C
=-2mA,
V
CE
=-5V
270
420
500
800
300
270
跃迁频率
集电极 - 基
电容
f
T
C
敖包
420
500
800
I
C
=-100mA,V
CE
=-5V
300 MHz的我
C
=-10mA,V
CE
=-5V
f=100MHz
V
CB
=-10V,
pF
f=1MHz
辣妹参数数据可应要求提供这些设备的
BC846
BC848
BC850
参数
BC847
BC849
电气特性（续）
符号
h
ie
民
典型值
最大
民
典型值
最大
民
典型值
最大
民
典型值
最大
第六组
A组
B组
C组
第六组
A组
h
re
典型值
典型值
典型值
典型值
民
典型值
最大
民
典型值
最大
民
典型值
最大
民
典型值
最大
第六组
A组
B组
C组
h
oe
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
20
40
18
30
30
60
60
110
60
110
60
110
450
600
900
20
40
18
30
2.5
1.5
2
75
110
150
125
220
260
2.5
1.5
2
75
110
150
125
220
260
BC846 BC847 BC848 BC849 BC850
单位条件。
k
k
k
k
k
k
k
k
k
动态
第六组
特征
A组
0.4
1.2
2.2
1.6
2.7
4.5
0.4
1.2
2.2
1.6
2.7
4.5
0.4
1.2
2.2
1.6
2.7
4.5
3.2
4.5
8.5
6
8.7
15
2.5
1.5
2
3
75
110
150
125
220
260
240
330
500
450
600
900
20
40
18
30
B组
C组
6
8.7
15
2
3
6
8.7
15
2
3
k
k
k
x10
-4
x10
-4
x10
-4
x10
-4
h
fe
V
CE
=5V
Ic=2mA
B组
C组
450
600
900
450
600
900
s
s
s
s
s
s
s
s
公元前846 ...公元前850
NPN
通用晶体管
NPN
表面贴装硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflchenmontage
功耗 - Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
250毫瓦
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
1.1
塑料外壳
Kunststoffgehuse
1.3
±0.1
TYPE
CODE
1
2
2.5
最大
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
1.9
尺寸/集体单位为毫米
1=B
2=E
3=C
最大额定值（T
A
= 25
/
C)
公元前846
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
峰值发射极电流 - 发射极Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
V
CE0
V
CB0
V
EB0
P
合计
I
C
I
CM
I
BM
- I
EM
T
j
T
S
65 V
80 V
6V
Grenzwerte （T
A
= 25
/
C)
BC八百五分之八百四十七
45 V
50 V
250毫瓦
1
)
百毫安
200毫安
200毫安
200毫安
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
BC 849分之848
30 V
30 V
5V
特性（T
j
= 25
/
C)
A组
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
2
)
V
CE
= 5 V，I
C
= 10
:
A
V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
H-参数在V
CE
= 5V ，我
C
= 2毫安， F = 1千赫
小信号电流增益
Kleinsignal - Stromverstrkung
输入阻抗 - Eingangs - Impedanz
输出导纳 - Ausgangs - Leitwert
反向电压传输比
Spannungsrückwirkung
1
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
B组
（典型值） 。 150
200...450
C组
（典型值） 。 270
420...800
h
FE
h
FE
（典型值） 。 90
110...220
h
fe
h
ie
h
oe
h
re
（典型值） 。 220
1.6...4.5 k
S
18 < 30
:
S
typ.1.5 * 10
-4
（典型值） 。 330
3.2...8.5 k
S
30 < 60
:
S
（典型值） 。 2 * 10
-4
（典型值） 。 600
6...15 k
S
60 < 110
:
S
（典型值） 。 3 * 10
-4
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
2
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
10
01.11.2003
通用晶体管
特性（T
j
= 25
/
C)
分钟。
集电极饱和电压。 - Kollektor - Sttigungsspannung
1
)
I
C
= 10 mA时，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，我
B
= 5毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，我
B
= 5毫安
基射极电压 - 基射极Spannung
1
)
V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 10毫安
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 30 V
I
E
= 0, V
CB
= 30 V ，T
j
= 150
/
C
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
C
= 0, V
EB
= 5 V
增益带宽积 - Transitfrequenz
V
CE
= 5 V，I
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
= i
e
= 0中，f = 1 MHz的
V
EB
= 0.5 V，I
C
= i
c
= 0中，f = 1 MHz的
噪声系数 - Rauschzahl
V
CE
= 5 V，I
C
= 200
:
A
R
G
= 2 k
S
， F = 1 kHz时，
)
F = 200赫兹
V
CE
= 5 V，I
C
= 200
:
A
R
G
= 2 k
S
， F = 1 kHz时，
F = 30 ... 15000赫兹
公元前846 ...
F
公元前848
BC 850分之849
公元前849
公元前850
F
F
F
–
–
R
THA
–
f
T
C
CB0
C
EB0
100兆赫
–
–
I
EB0
–
–
I
CB0
I
CB0
–
–
–
–
V
BEON
V
BEON
580毫伏
–
V
CESAT
V
CESAT
V
BESAT
V
BESAT
–
–
–
–
公元前846 ...公元前850
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
典型值。
90毫伏
200毫伏
700毫伏
900毫伏
660毫伏
–
马克斯。
250毫伏
600毫伏
–
–
700毫伏
770毫伏
15 nA的
5
:
A
100 nA的
–
3.5 pF的
9 pF的
6 pF的
–
基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
1
)
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazitt
2分贝
1.2分贝
1.4分贝
1.4分贝
10分贝
4分贝
4分贝
3分贝
420 K / W
2
)
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementre PNP - Transistoren
BC 846A = 1A
可用的电流增益标记
每类群体
Stempelung德lieferbaren Strom-
verstrkungsgruppen亲典型值
BC 847A = 1E
BC 848A = 1J
公元前856 ...公元前860
BC 846B = 1B
BC 847B = 1F
BC 848B = 1K
BC 849B = 2B
BC 850B = 2F
BC 847C = 1G
BC 848C = 1L
BC 849C = 2C
公元前850 = 2G
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
01.11.2003
1
2
11
BC856...BC860
PNP硅晶体管自动对焦
对于AF输入级和驱动器应用
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
30 Hz至15 kHz的低噪音
互补类型： BC846 ， BC847 ， BC848
BC849 ， BC850 （ NPN ）
3
2
1
VPS05161
TYPE
BC856A
BC856B
BC857A
BC857B
BC857C
BC858A
BC858B
BC858C
BC859A
BC859B
BC859C
BC860B
BC860C
记号
3As
3Bs
3Es
3Fs
3Gs
3Js
3Ks
3Ls
4As
4Bs
4Cs
4Fs
4Gs
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
包
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
1
Dec-11-2001
BC846...BC850
NPN硅晶体管自动对焦
对于AF输入级和驱动器应用
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
30 Hz至15 kHz的低噪音
互补类型： BC856 ， BC857 ， BC858
BC859 ， BC860 （ PNP ）
3
2
1
VPS05161
TYPE
BC846A
BC846B
BC847A
BC847B
BC847C
BC848A
BC848B
BC848C
BC849B
BC849C
BC850B
BC850C
记号
1As
1Bs
1Es
1Fs
1Gs
1Js
1Ks
1Ls
2Bs
2Cs
2Fs
2Gs
1=B
B=1
B=1
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
包
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
1
Nov-20-2002
BC846
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
(Ta=25°C)
°
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
评级
80
55
5
100
200
150
-55~150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
特征
集电极 - 发射极击穿电压
基极 - 发射极导通电压
基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
(Ta=25°C)
°
符号
BV
首席执行官
V
BE（上）
V
BE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
I
CBO
h
FE
*
f
T
C
ob
NF
测试条件
I
C
= 1mA时，我
B
=0
V
CE
= 5V ，我
C
=2mA
I
C
= 100mA时我
B
=5mA
I
C
= 100mA时我
B
=5mA
V
CB
= 35V ，我
E
=0
V
CE
= 5V ，我
C
=2mA
V
CE
= 5V ，我
C
=10mA
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
= 5V ，我
C
=200A,
F = 1KHz时， RG = 2KΩ
分钟。典型值。马克斯。
55
550
-
-
-
110
-
-
-
-
-
900
-
-
-
150
-
-
-
700
-
600
15
800
-
4.5
10
单位
V
mV
mV
mV
nA
-
兆赫
pF
dB
* : h
FE
排名/ A ： 110 220 ， B： 200 450 ，C ： 420 800
KST-2006-000
2
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
BC846A ; BC847A
BC846B ; BC847B
BC847C
直流电流增益
BC846
BC847
BC846A;BC847A
BC846B ; BC847B
BC847C
V
CESAT
V
BESAT
V
BE
C
c
f
T
F
笔记
1. V
BESAT
降低了约1.7毫伏/ K随温度的升高。
2. V
BE
降低了约2毫伏/ K随温度的升高。
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和电压
基射极电压
集电极电容
跃迁频率
噪音科幻gure
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安
I
C
= 10毫安;我
B
= 0.5毫安;注1
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安;注1
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V ;注意2
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V ;注意2
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1兆赫;
I
C
= 200
A;
V
CE
= 5 V ;
S
= 2 k;
F = 1千赫B = 200赫兹
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V;
参见图2 ，图3和4
条件
I
E
= 0; V
CB
= 30 V
I
E
= 0; V
CB
= 30 V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 10
A;
V
CE
= 5 V;
参见图2 ，图3和4
分钟。
110
110
110
200
420
580
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
BC846 ; BC847
价值
500
单位
K / W
典型值。
90
150
270
180
290
520
90
200
700
900
660
2.5
2
马克斯。
15
5
100
450
800
220
450
800
250
600
700
770
10
单位
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
pF
兆赫
dB
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V ; F = 100 MHz的; 100
1999年04月23
3
QQ：2881677436 复制
