电气特性：
静态P / N OMD400 （ 400V ）
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSSF
I
GSSR
I
DSS
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
门体漏进
门体反向漏
零栅压漏
当前
I
D（上）
V
DS （ ON）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
导通状态漏极
电压
1
静态漏源导通状态
阻力
1
静态漏源导通状态
阻力
1
当前
1
15
2.0
0.30
.60
0.1
0.2
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
电气特性：
静态P / N OMD500 （ 500V ）
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSSF
I
GSSR
I
DSS
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
门体漏进
门体反向漏
零栅压漏
当前
I
D（上）
V
DS （ ON）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
导通状态漏极
电压
1
静态漏源导通状态
阻力
1
静态漏源导通状态
阻力
1
当前
1
13
2.1
0.1
0.2
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
400
2.0
4.0
100
- 100
0.25
1.0
V
V
nA
nA
mA
mA
A
2.8
.35
.70
V
V
GS
= 0,
I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
GS
= +20 V
V
GS
= - 20 V
V
DS
=最大。鼠。 ，V
GS
= 0
V
DS
= 0.8最大。鼠。 ，V
GS
= 0,
T
C
= 125° C
V
DS
2 V
DS （ ON）
, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 8.0 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 8.0 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 8.0 A,
T
C
= 125 C
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
500
2.0
4.0
100
- 100
0.25
1.0
V
V
nA
nA
mA
mA
A
3.0
V
V
GS
= 0,
I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
GS
= +20 V
V
GS
= - 20 V
V
DS
=最大。鼠。 ，V
GS
= 0
V
DS
= 0.8最大。鼠。 ，V
GS
= 0,
T
C
= 125° C
V
DS
2 V
DS （ ON）
, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 7.0 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 7.0 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 7.0 A,
T
C
= 125 C
静态漏源导通状态
静态漏源导通状态
0.35 0.43
0.66 0.88
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
转发Transductance
1
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
6.0
9.6
2900
450
150
30
40
80
30
S（ W
)
V
DS
2 V
DS （ ON）
, I
D
= 8.0 A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 0
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 200 V，I
D
@
8.0 A
R
g
=5.0
W
, V
GS
=10V
（ MOSFET开关时间
基本上是独立的
操作温度）。
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
转发Transductance
1
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
6.0
7.2
2600
280
40
30
46
75
31
S（ W
)
V
DS
2 V
DS （ ON）
, I
D
= 7.0 A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 0
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 210 V，I
D
@
7.0 A
R
g
= 5.0
W
, V
GS
= 10 V
（ MOSFET开关时间
基本上是独立的
操作温度）。
体漏二极管额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
连续源电流
（体二极管）
源出电流
1
（体二极管）
二极管的正向电压
1
反向恢复时间
600
- 15
- 60
- 1.6
A
A
V
ns
修改MOSPOWER
符号表现
积分P -N
结整流器。
G
D
体漏二极管额定值和特性
I
S
I
SM
S
连续源电流
（体二极管）
源出电流
1
（体二极管）
二极管的正向电压
1
反向恢复时间
700
- 13
- 52
- 1.4
T
C
= 25℃ ，我
S
= -15 A，V
GS
= 0
T
J
= 100℃ ，我
F
= I
S
,
dl
F
/ DS = 100 A / MS
V
SD
t
rr
ns
1脉冲测试：
脉冲宽度300毫秒，占空比
2%.
1脉冲测试：
脉冲宽度300毫秒，占空比
2%.
(W )
A
A
V
(W )
3.1 - 3
动态
动态
修改MOSPOWER
符号表现
积分P -N
结整流器。
G
D
S
OMD100 - OMD500
T
C
= 25℃ ，我
S
= -13 A，V
GS
= 0
T
J
= 150℃ ，我
F
= I
S
,
dl
F
/ DS = 100 A / MS
3.1
