3.1
OMD100 - OMD500
电气特性：
静态P / N OMD100 （ 100V ）
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSSF
I
GSSR
I
DSS
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
门体漏进
门体反向漏
零栅压漏
当前
I
D（上）
V
DS （ ON）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
导通状态漏极
电压
1
静态漏源导通状态
阻力
1
静态漏源导通状态
阻力
1
当前
1
35
1.1
0.1
0.2
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
电气特性：
静态P / N OMD200 （ 200V ）
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSSF
I
GSSR
I
DSS
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
门体漏进
门体反向漏
零栅压漏
当前
I
D（上）
V
DS （ ON）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
导通状态漏极
电压
1
静态漏源导通状态
阻力
1
静态漏源导通状态
阻力
1
当前
1
30
0.1
0.2
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
100
2.0
4.0
100
- 100
0.25
1.0
V
V
nA
nA
mA
mA
A
1.60
V
V
GS
= 0,
I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
GS
= +20 V
V
GS
= -20 V
V
DS
=最大。鼠。 ，V
GS
= 0
V
DS
= 0.8最大。鼠。 ，V
GS
= 0,
T
C
= 125° C
V
DS
2 V
DS （ ON）
, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A,
T
C
= 125 C
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
200
2.0
4.0
100
-100
0.25
1.0
V
V
nA
nA
mA
mA
A
1.36 1.76
.085 .110
0.14 .200
V
V
GS
= 0,
I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
GS
= + 20 V
V
GS
= - 20 V
V
DS
=最大。鼠。 ，V
GS
= 0
V
DS
= 0.8最大。鼠。 ，V
GS
= 0,
T
C
= 125° C
V
DS
2 V
DS （ ON）
, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 16 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 16 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 16 A,
T
C
= 125 C
静态漏源导通状态
静态漏源导通状态
.065 .080
.10
.160
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
前锋
Transductance
1
9.0
10
2700
1300
470
28
45
100
50
S（ W
)
V
DS
2 V
DS （ ON）
, I
D
= 20 A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 0
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 30 V，I
D
@
20 A
R
g
= 5.0
W
, V
G
= 10V
（ MOSFET开关时间
基本上是独立的
操作温度）。
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
转发Transductance
1
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
10.0 12.5
2400
600
250
25
60
85
38
S（ W
)
V
DS
2 V
DS （ ON）
, I
D
= 16 A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 0
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 75 V，I
D
@
16 A
R
g
= 5.0
W
,V
GS
= 10V
（ MOSFET开关时间
基本上是独立的
操作温度）。
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
连续源电流
（体二极管）
来源
当前
1
（体二极管）
二极管的正向电压
1
反向恢复时间
400
- 40
- 160
- 2.5
A
A
V
ns
修改MOSPOWER
符号表现
积分P -N
结整流器。
G
D
体漏二极管额定值和特性
I
S
I
SM
S
连续源电流
（体二极管）
来源
当前
1
（体二极管）
- 30
- 120
-2
350
T
C
= 25℃ ，我
S
= -40 A，V
GS
= 0
T
J
= 150℃ ，我
F
= I
S
,
dl
F
/ DS = 100 A / MS
V
SD
t
rr
二极管的正向电压
1
反向恢复时间
ns
1脉冲测试：
脉冲宽度300毫秒，占空比
2%.
1脉冲测试：
脉冲宽度300毫秒，占空比
2%.
(W )
A
A
V
(W )
3.1 - 2
动态
动态
修改MOSPOWER
符号表现
积分P -N
结整流器。
G
D
S
T
C
= 25℃ ，我
S
= -30 A，V
GS
= 0
T
J
= 150℃ ，我
F
= I
S
,
dl
F
/ DS = 100 A / MS
