OMD100 OMD400
OMD200 OMD500
四个N沟道MOSFET HERMETIC
功率封装
100V直通500V ，最高达25安培， N沟道
MOSFET在密封的金属包
特点
隔离密封金属封装
快速开关
低R
DS （ ON）
可用筛选，以MIL -S - 19500 ， TX ，热力膨胀阀和S级别
描述
该系列密封包装的产品采用了最新的先进MOSFET
和封装技术。它们非常适用于军事需求在哪里
小尺寸，高性能和高可靠性的要求，以及在应用中，例如
如开关电源，电机控制，逆变器，砍砸器，音频放大器和
高能量脉冲电路。
PER晶体管最大额定值
@ 25°C
产品型号
OMD100
OMD200
OMD400
OMD500
V
DS
100V
200V
400V
500V
R
DS （ ON）
.08
.11
.35
.43
I
D
25A
25A
13A
11A
3.1
概要
接线图
FET 4
G
S
D
FET 3
的s
D
1.520
.150
.500
分钟。
.260
1.000
平方米。
45°
REF
.170 R.
典型值。
.156直径。
典型值。
0.040 LEAD
DIA 。
D
S
G
G
S
D
.187
典型值。
.125
（ 10 PLCS ）
.625
.050
.270
FET 1
FET 3
4 11 R2
取代1 07 R1
3.1 - 1
