开关特性DP8409A - 2
（续）
V
CC
e
5 0V
g
5% 0 C
s
T
A
s
70℃（除非另有说明） （注2 4 5 ）的输出的负载电容是典型的4个存储
每个DRAM的22或88的DRAM ，包括走线电容这些值Q0 - Q8
L
e
500 pF的RAS0- RAS3
L
e
150 pF的WE
L
e
500 pF的CAS
L
e
600 pF（除非另有说明） ，请参见
图11
为测试负载开关S1和S2是
封闭的，除非另有说明，R 1和R 2是4 7的kX除非指定另有说明最大传播延迟
与所有输出开关
符号
刷新
（续）
t
FRQH
t
RGRL
t
RGRH
t
RQHRF
t
RFRH
t
RFSRG
t
CSCT
t
CSRL
t
ZH
t
HZ
RGCK低到强制RFRQ高
RGCK低到RAS低
RGCK低到高RAS
RFSH保持时间从RFSH RQST （ RF I O ）
RFSH高到高RAS （截至强迫RFSH ）
RFSH低设置以RGCK低（模式1 ）
CS高到RFSH计数器有效
CS低到Access拉津低
CS从低到高，从高阻地址输出
CS高到地址输出高阻从高
C
L
e
50 pF的
科幻gure 3
50
50
40
2T
55
35
55
30
35
60
70
80
110
65
60
75
95
85
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
条件
民
8409A-2
典型值
最大
单位
科幻gure 3
科幻gure 3
科幻gure 3
见模式1记述
见模式1记述
图9
见模式5记述
图9 12
R1
e
3 5K R2
e
1 5k
C
L
e
15 pF的
图9 12
R2
e
1K S1打开
20
40
ns
t
ZL
t
LZ
CS低，从高阻地址输出低
CS高到地址输出高阻从低
图9 12
R1
e
3 5K R2
e
1 5k
C
L
e
15 pF的
图9 12
R1
e
1K S2打开
35
60
ns
25
50
ns
t
HZH
t
HHZ
CS低电平到控制输出的
高阻高
CS高到控制输出的Hi- Z高阻
从高
CS低电平到控制输出下，从
高阻高
CS高到控制输出的Hi- Z高阻
从低
图9 12
R2
e
750X S1打开
C
L
e
15 pF的
图9 12
R2
e
750X S1打开
50
80
ns
40
75
ns
t
HZL
t
LHZ
图12
S1 S2打开
C
L
e
15 pF的
图12
R2
e
750X S1打开
6)
条件
民
典型值
8
5
45
75
ns
50
80
ns
输入电容
T
A
e
25℃ （注2
符号
C
IN
C
IN
参数
输入电容ADS R C
最大
单位
pF
pF
输入电容其他所有输入
注1
''绝对最大额定值''是他们的目的不是超出该设备的安全性不能得到保证值意味着该设备
应该在这些限制条件下运行的'电气特性''下表提供了器件的实际操作情况
注2
所有典型值是对于T
A
e
25 C和V
CC
e
5 0V
注3
这个测试提供作为驱动器输出源的监控和灌电流能力应注意在测试这些参数在测试中行使
这些参数的15X电阻器应放置在串联的每个输出在测试一个输出应在同一时间内进行测试和测试时间不应超过1
第二
注4
输入脉冲0V至3 0V吨
R
e
t
F
e
2 5纳秒F
e
2 5兆赫吨
PW
e
在交流测量200 ns输入参考点为1 5V输出参考点为2 7V
高和0 8V低
注5
射频IO的负载电容应不超过50 pF的
注6
适用于所有DP8409A版本，除非另有说明
注7：
该DP8409A - 2设备只能与符合吨存储设备使用
RAH
规格说明
20
