DP8409A功能模式说明
（续）
表II内存组解码
BANK SELECT
（由ADS选通）
B1
0
0
1
1
B0
0
1
0
1
RAS
0
RAS
1
RAS
2
RAS
3
sirable快速周期时间，其中RAS必须端端接
编尽快下一RAS开始之前（以满足
在预充电时间或叔
RP
DRAM的需求）
CAS然后可以保持为低Casin酒店到数据扩展
输出有效时间从DRAM以允许系统来读取
数据Casin酒店随后将高结束CAS如果这
扩展CAS不需要Casin酒店应设置为高
MODE 6
没有内部刷新请求触发器在这种模式下，以便
任何需要的清爽必须通过输入模式0或完成
模式2
MODE SET 7 END- OF- COUNT
最终的计数可以在模式7外部选择
使用ADS中的B1和B2分别选通值
（见表三）与B1和B2同EOC是127
B1
e
0和B0
e
1 EOC是255，与B1
e
1 B0
e
0 EOC是511平机会在此选择的值将被使用
直到下一个7模式选择在电平机会
自动设定为127 （B1和B0设定为11 ）
表三模式7
BANK SELECT
（由ADS选通）
B1
0
0
1
1
B0
0
1
0
1
127
255
511
127
计数结束
选
启用RAS
n
需要注意的是拉津变低早于吨
CSRL
后CS变
低可导致DP8409A解释拉津作为
如果没有隐藏刷新发生在隐藏刷新拉津
目前RFCK周期在这种情况下，所有RAS输出会
去低的时间很短。因此有人建议，当
使用模式5拉津应保持高电平，直到吨
CSRL
后
CS变低，如果刷新不适合类似CS应
保持在低最少的t
CSRL
后拉津返回高
结束时，在模式5的访问
MODE 6速自动访问
快速访问模式类似于模式5，但有一个更快的
t
RAH
的20纳秒的最低因此，它只能被具有用于
快16K或64K的DRAM （其中有一个吨
RAH
10 ns至
15纳秒）的应用程序需要快速存取时间拉津到
CAS通常是105纳秒
在这种模式下， RC （ RFCK ）引脚不使用的，但Casin酒店
（ RGCK ）用作Casin酒店，以允许一个扩展CAS号后
RAS已经终止参阅
图8B
这是DE-
TL F 8409 - 20
图10更改传播延迟VS负载电容相对于500 pF负载
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