SSM4509GM
P沟道
f=1.0MHz
14
10000
-V
GS
，门源电压（ V）
12
I
D
=- 8 A
V
DS
=-24V
10
C（ pF）的
8
C
国际空间站
1000
6
4
C
OSS
C
RSS
2
0
0
10
20
30
40
50
60
100
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应（R
thJA
)
占空比系数= 0.5
10
100us
1ms
0.2
0.1
0.1
-I
D
(A)
0.05
1
10ms
100ms
0.02
0.01
P
DM
0.01
单脉冲
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
=135
o
C / W
0.1
T
A
=25 C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
o
1s
DC
0.001
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
-4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
3/10/2005 Rev.1.01
图12.栅极电荷波形
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第7 8
