SSM4509GM
N和P沟道增强型功率MOSFET
简单的驱动要求
低导通电阻
快速开关特性
D2
D1
D2
D1
D1
D1
D2
N-CH BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
G2
G2
S2
S2
G1
S1
G1
S1
30V
14m
10A
-30V
20m
-8.4A
D1
D2
P- CH BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
SO-8
描述
从硅标准高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
该SSM4509GM是在SO- 8封装，广泛用于优先
商业和工业表面安装的应用程序，并且是非常适合
的应用，如低压电机驱动器和逆变器。
G1
G2
S1
S2
无铅引脚镀层（二级互连）
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
=25°C
I
D
@ T
A
=70°C
I
DM
P
D
@ T
A
=25°C
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
等级
N沟道
30
±20
10
7.9
30
2.0
0.016
-55到150
-55到150
P沟道
-30
±20
-8.4
-6.7
-30
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
°C
°C
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
62.5
单位
° C / W
3/10/2005 Rev.1.01
www.SiliconStandard.com
1第8
