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SSM4509GM
N和P沟道增强型功率MOSFET
简单的驱动要求
低导通电阻
快速开关特性
D2
D1
D2
D1
D1
D1
D2
N-CH BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
G2
G2
S2
S2
G1
S1
G1
S1
30V
14m
10A
-30V
20m
-8.4A
D1
D2
P- CH BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
SO-8
描述
从硅标准高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
该SSM4509GM是在SO- 8封装，广泛用于优先
商业和工业表面安装的应用程序，并且是非常适合
的应用，如低压电机驱动器和逆变器。
G1
G2
S1
S2
无铅引脚镀层（二级互连）
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
=25°C
I
D
@ T
A
=70°C
I
DM
P
D
@ T
A
=25°C
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
等级
N沟道
30
±20
10
7.9
30
2.0
0.016
-55到150
-55到150
P沟道
-30
±20
-8.4
-6.7
-30
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
°C
°C
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
62.5
单位
° C / W
3/10/2005 Rev.1.01
www.SiliconStandard.com
1第8
SSM4509GM
N沟道电气特性@ T
j
= 25
o
C（除非另有说明）
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
30
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
TYP 。 MAX 。单位
-
0.02
-
-
-
14
-
-
-
23
6
14
14
10
36
17
430
350
-
-
14
20
3
-
1
25
±100
65
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V /°C的
m
m
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
BV
DSS
/
Tj
R
DS （ ON）
击穿电压温度系数
参考至25℃ ，我
D
=1mA
V
GS
= 10V ，我
D
=9A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=9A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=9A
V
DS
=24V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=1A
R
G
=3.3 , V
GS
=10V
R
D
=15
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
1770 2830
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
测试条件
I
S
= 1.7A ，V
GS
=0V
I
S
= 9A ，V
GS
=0V
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
TYP 。 MAX 。单位
-
31
25
1.2
-
-
V
ns
nC
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
3/10/2005 Rev.1.01
www.SiliconStandard.com
2第8
SSM4509GM
P沟道电气特性@ T
j
= 25
o
C（除非另有说明）
符号
BV
DSS
BV
DSS
/
Tj
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
参考至25℃ ，我
D
=-1mA-
V
GS
= -10V ，我
D
=-8A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4A
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ，我
D
=-8A
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=-8A
V
DS
=-24V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
I
D
=-1A
R
G
=3.3 , V
GS
=-10V
R
D
=15
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
2
分钟。
-30
-
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.02
-
-
-
14
-
-
-
27
4
18
16
11
40
25
MAX 。单位
-
-
20
30
-3
-
-1
-25
±100
45
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V /°C的
m
m
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
o
C)
j
=25
漏极 - 源极漏电流（T
o
C)
j
=70
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
1580 2530
540
450
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= -1.7A ，V
GS
=0V
I
S
= -8A ，V
GS
=0V
dI/dt=-100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
40
32
MAX 。单位
-1.2
-
-
V
ns
nC
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在最小的时候135 ° C / W 。铜垫。
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www.SiliconStandard.com
3 8
SSM4509GM
N沟道
160
140
140
T
A
= 25
o
C
10V
7.0V
I
D
，漏电流（ A）
120
T
A
= 150
o
C
I
D
，漏电流（ A）
120
10V
7.0V
100
100
80
80
5.0V
4.5V
60
5.0V
4.5V
60
40
40
20
20
V
G
=3.0V
0
0
1
2
3
4
V
G
=3.0V
0
1
2
3
4
0
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
18
1.6
I
D
=5A
T
A
=25 C
15
o
1.4
I
D
=9A
V
G
=10V
归一化
DS （ ON）
3
5
7
9
11
R
DS （ ON）
(m )
1.2
1.0
12
0.8
9
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻与栅极电压
图4.归一导通电阻
- 结温
2.5
10
8
2.0
6
T
j
=150
o
C
4
T
j
=25
o
C
V
GS （ TH）
(V)
1.2
I
S
(A)
1.5
2
0
1.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（
o
C)
图5.正向特性
反向二极管
3/10/2005 Rev.1.01
图6.栅极阈值电压与
结温
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SSM4509GM
N沟道
14
f=1.0MHz
10000
V
GS
，门源电压（ V）
12
I
D
=9A
V
DS
=24V
C
国际空间站
10
8
C（ pF）的
1000
6
4
C
OSS
C
RSS
2
0
0
10
20
30
40
50
100
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
100us
10
归热响应（R
thJA
)
占空比系数= 0.5
0.2
1ms
I
D
(A)
10ms
1
0.1
0.1
0.05
0.02
100ms
1s
0.1
0.01
P
DM
0.01
单脉冲
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
=135
o
C / W
T
A
=25
o
C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
DC
0.001
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
3/10/2005 Rev.1.01
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5 8
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SDA5642-6
SPN75-48S
SC18IM700IPW
SSC-HYT7223
SST29EE010A-250-4I-WH
SN74LVTH574NSRG4
SC900EVB
SPFD5408B
S29GL128M90FAIR10
ST92F250JV1T6
S7AH-03E150
SHD122634P
SF1G5
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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