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斯巴达和Spartan- XL FPGA系列数据手册
IOB
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当地人
当地人
当地人
BUFGS
PGCK1
SGCK1
当地人
BUFGP
SGCK4
PGCK4
4
BUFGP
4
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当地人
X4
当地人
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任何BUFGS
一个BUFGP
全球每行
当地人
BUFGS
CLB
CLB
当地人
CLB
CLB
4
BUFGS
当地人
4
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任何BUFGS
一个BUFGP
全球每行
当地人
BUFGP
当地人
X4
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PGCK2
当地人
当地人
当地人
SGCK3
BUFGP
当地人
SGCK2
PGCK3
BUFGS
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ds060_11_080400
图11：
5V Spartan系列的全球经销网
这四个主要的全球缓冲区提供了最短的延迟和
可以忽略不计歪斜。第四次全球缓冲器具有
稍长拖延，稍偏斜，由于电位
tially较重的负荷，但提供使用时具有更大的灵活性
推动非时钟CLB输入。全球八大低偏移
缓冲区在Spartan -XL器件结合了短暂的延迟， neg-
ligible歪斜和灵活性。
主全局缓冲器必须由半ded-被驱动
icated垫（ PGCK1-4 ） 。本次全球缓冲器可
无论是通过半专用垫（ SGCK1-4 ）或者采购
内部网。该器件的每个角落都有一个主
缓冲器和一个辅助缓冲区。了Spartan- XL系列
有八个全局低偏移缓冲器，两人在每个角落。所有
可以通过半专用垫（ GCK1-8 ）或者采购
内部网。
使用库元件称为BUFG导致软件
选择适当的时钟缓冲器，根据定时
设计的要求。全球缓冲区应该光谱
后指定的所有时间敏感的全局信号分布。要使用
一个全球性的缓冲液，放置BUFGP （主缓冲区） ， BUFGS
（二级缓存） ， BUFGLS （的Spartan- XL系列全球
在低偏移缓冲器） ，或BUFG （任何缓冲型）元
概略或HDL代码。
高级功能说明
分布式RAM
每个CLB可选模式允许在函数发生器
（F -LUT和G- LUT）中被用作随机存取存储器
（内存） 。
读取和写入操作都显著快本
片上RAM比片外实现。这个速度
优点是由于在相对短的信号传播
在FPGA内部的延误。
内存配置概述
有两种可用的内存配置模式：赎罪
GLE口RAM和双端口RAM 。这两种模式中，
写操作是同步的（边沿触发的），而
读操作是异步的。在单端口模式，
单个CLB可配置为一个16× 1 ， （16× 1）
×2 ，或32× 1的RAM阵列。在双端口模式，单个
CLB只能配置为一个16× 1的RAM阵列。该
CLB不同的内存配置中总结
表8 。
任何这些可能性可以单独亲
编程成斯巴达/ XL FPGA CLB 。
表8：
CLB内存配置
模式
16 x 1
(16 x 1) x 2
32 x 1
单端口
双端口
√
√
√
√
DS060 （ V1.8 ） 2008年6月26日
产品speci fi cation
www.xilinx.com
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