3兆位闪存LPC
SST49LF030A
EOL产品数据表
CE＃
0
LCLK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
LFRAME ＃
1日启动
0000b
内存
写
周期
011Xb
地址
1
A[31:28] A[27:24] A[23:20] A[19:16]
0101b
0101b
0101b
0101b
数据
1010b
1010b
TAR
1111b
三州
SYNC
0000b
1时钟
TAR
明年启动
命令
LAD [ 3：0]
1时钟1时钟
加载地址"YYYY 5555H"在8个时钟
在2个2个时钟将数据加载"AAH"
1时钟
写在第一命令到设备中的LPC模式。
CE＃
0
LCLK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
LFRAME ＃
内存
写
第二循环开始
0000b
011Xb
地址
1
A[31:28] A[27:24] A[23:20] A[19:16]
0101b
0101b
0101b
0101b
数据
1010b
1010b
TAR
1111b
三州
SYNC
0000b
1时钟
TAR
明年启动
命令
LAD [ 3：0]
1时钟1时钟
加载地址"YYYY 2AAAH"在8个时钟
在2个2个时钟将数据加载"55H"
1时钟
写的第二命令到设备中的LPC模式。
CE＃
0
LCLK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
LFRAME ＃
3日开始
0000b
内存
写
周期
011Xb
地址
1
A[31:28] A[27:24] A[23:20] A[19:16]
0101b
0101b
0101b
0101b
数据
1010b
1010b
TAR
1111b
三州
SYNC
0000b
1时钟
TAR
明年启动
命令
LAD [ 3：0]
1时钟1时钟
加载地址"YYYY 5555H"在8个时钟
在2个2个时钟将数据加载"80H"
1时钟
写的第三命令到设备中的LPC模式。
CE＃
0
LCLK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
LFRAME ＃
4日开始
0000b
内存
写
周期
011Xb
地址
1
A[31:28] A[27:24] A[23:20] A[19:16]
0101b
0101b
0101b
0101b
数据
1010b
1010b
TAR
1111b
三州
SYNC
0000b
1时钟
TAR
明年启动
命令
LAD [ 3：0]
1时钟1时钟
加载地址"YYYY 5555H"在8个时钟
在2个2个时钟将数据加载"AAH"
1时钟
写的第四命令，该设备中的LPC模式。
CE＃
0
LCLK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
LFRAME ＃
5日开始
0000b
内存
写
周期
011Xb
地址
1
A[31:28] A[27:24] A[23:20] A[19:16]
0101b
0101b
0101b
0101b
数据
1010b
1010b
TAR
1111b
三州
SYNC
0000b
1时钟
TAR
明年启动
命令
LAD [ 3：0]
1时钟1时钟
加载地址"YYYY 2AAAH"在8个时钟
在2个2个时钟将数据加载"55H"
1时钟
写的第五命令到设备中的LPC模式。
CE＃
0
LCLK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
国内
擦除开始
LFRAME ＃
6日开始
0000b
内存
写
周期
011Xb
地址
1
A[31:28] A[27:24] A[23:20] A[19:16]
BA
X
XXXXb
XXXXb
XXXXb
数据
0000b
0101b
TAR
1111b
三州
SYNC
0000b
1时钟
TAR
国内
擦除开始
LAD [ 3：0]
1时钟1时钟
在8个时钟负载块地址
在2个2个时钟将数据加载"50H"
写的第六命令（目标块被擦除）到装置中的LPC模式。
BA
X
=块地址
1234 F10.1
注意：
1.地址必须在表4中指定的内存地址范围。
图11 ：块擦除命令序列（ LPC模式）
2005硅存储技术公司
S71234-03-EOL
5/06
25
