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3兆位闪存LPC
SST49LF030A
EOL产品数据表
CE#
0
LCLK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
LFRAME #
1日启动
内存
周期
011Xb
地址
1
A[31:28] A[27:24] A[23:20] A[19:16] A[15:12] A[11:8]
在8个时钟负载地址
A[7:4]
A[3:0]
数据
D[3:0]
D[7:4]
TAR
1111b
三州
SYNC
0000b
1时钟
TAR
明年启动
命令
0000b
1时钟
LAD [ 3:0]
0000b
1时钟1时钟
在2个加载数据
2个时钟
写在最后的命令(编程或擦除)到设备的LPC模式。
CE#
0
LCLK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
LFRAME #
开始
内存
周期
010Xb
地址
1
A[31:28] A[27:24] A[23:20] A[19:16] A[15:12] A[11:8]
在8个时钟负载地址
阅读DQ
6
看是否内部写已经完成。
A[7:4]
A[3:0]
TAR
1111b
三州
SYNC
0000b
数据
XXXXb
X,D6#,XXb
TAR
接下来开始
0000b
1时钟
LAD [ 3:0]
0000b
1时钟1时钟
2个时钟
1时钟数据输出2个时钟
CE#
0
LCLK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
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16
17
LFRAME #
开始
内存
周期
010Xb
地址
1
A[31:28] A[27:24] A[23:20] A[19:16] A[15:12] A[11:8]
在8个时钟负载地址
A[7:4]
A[3:0]
TAR
1111b
三州
SYNC
0000b
数据
XXXXb
X,D6,XXb
TAR
接下来开始
0000b
1时钟
LAD [ 3:0]
0000b
1时钟1时钟
2个时钟
1时钟数据输出2个时钟
当内部写操作完成, DQ
6
将停止切换。
1234 F08.1
注意:
1.地址必须在表4中指定的内存地址范围。
图9 :切换位指令序列( LPC模式)
2005硅存储技术公司
S71234-03-EOL
5/06
23

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