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3兆位闪存LPC
SST49LF030A
EOL产品数据表
CE＃
0
LCLK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
LFRAME ＃
1日启动
内存
写
周期
011Xb
地址
1
A [ 31:28 ] A [ 27:24 ] A [ 23点20分] A [ 19:16] 0101B
0101b
0101b
0101b
数据
1010b
1010b
TAR
1111b
三州
SYNC
0000b
1时钟
TAR
1时钟
明年启动
命令
LAD [ 3：0]
0000b
1时钟1时钟
加载地址"YYYY 5555H"在8个时钟
在2个2个时钟将数据加载"AAH"
写在第一命令到设备中的LPC模式。
CE＃
0
LCLK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
LFRAME ＃
内存
第二届开始写
周期
地址
1
A [ 31:28 ] A [ 27:24 ] A [ 23点20分] A [ 19:16] 0101B
0101b
0101b
0101b
数据
1010b
1010b
TAR
1111b
三州
SYNC
0000b
1时钟
TAR
1时钟
明年启动
命令
LAD [ 3：0]
0000b
011Xb
1时钟1时钟
加载地址"YYYY 2AAAH"在8个时钟
在2个2个时钟将数据加载"55H"
写的第二命令到设备中的LPC模式。
CE＃
0
LCLK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
LFRAME ＃
内存
3日开始写
周期
地址
1
A [ 31:28 ] A [ 27:24 ] A [ 23点20分] A [ 19:16] 0101B
0101b
0101b
0101b
数据
1010b
1010b
TAR
1111b
三州
SYNC
0000b
1时钟
TAR
1时钟
明年启动
命令
LAD [ 3：0]
0000b
011Xb
1时钟1时钟
加载地址"YYYY 5555H"在8个时钟
在2个2个时钟将数据加载"A0H"
写的第三命令到设备中的LPC模式。
CE＃
0
LCLK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
LFRAME ＃
4日开始
内存
写
周期
011Xb
地址
1
A[31:28] A[27:24] A[23:20] A[19:16] A[15:12] A[11:8]
在8个时钟负载地址
A[7:4]
A[3:0]
数据
D[3:0]
D[7:4]
TAR
1111b
三州
SYNC
0000b
1时钟
TAR
国内
程序启动
LAD [ 3：0]
0000b
国内
程序启动
1时钟1时钟
在2个加载数据
2个时钟
写的第四命令（目标位置进行编程）到该设备中的LPC模式。
1234 F06.1
注意：
1.地址必须在表4中指定的内存地址范围。
图7 ：程序命令序列（ LPC模式）
2005硅存储技术公司
S71234-03-EOL
5/06
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