恩智浦半导体
BLF6G22-45
功率LDMOS晶体管
20
G
p
（ dB）的
19
η
D
G
p
18
001aah607
30
η
D
(%)
25
30
ACPR
（ DBC）
35
001aah608
40
20
45
17
15
50
16
10
55
15
0
2
4
6
5
8
10
P
L（ AV）在
(W)
60
0
2
4
6
8
10
P
L（ AV）在
(W)
V
DS
= 28 V ;我
Dq
= 405毫安; F
1
= 2162.5兆赫;
f
2
= 2167.5兆赫;载波间隔为5MHz 。
V
DS
= 28 V ;我
Dq
= 405毫安; F
1
= 2162.5兆赫;
f
2
= 2167.5兆赫;载波间隔为5MHz 。
图4 。
2载波W-CDMA的功率增益和漏极
英法fi效率为平均负载功率的功能;
典型值
图5 。
2载波W-CDMA的相邻信道功率
比作为平均负载功率的函数;
典型值
8.测试信息
V
GG
C4
C3
C5
R1
C2
C18
C6
C10
C11 C12 C13 C14 C15
C16
V
DD
输入
50
C1
C7
C8
C9
C17
产量
50
001aah609
SEE
表8
为组件的列表。
图6 。
在2110 MHz和2170 MHz的运行测试电路
BLF6G22-45_2
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产品数据表
牧师02 - 2008年4月21日
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