恩智浦半导体
BLF6G22-45
功率LDMOS晶体管
22
G
p
（ dB）的
20
001aah604
60
η
D
(%)
50
η
D
18
G
p
16
40
30
14
20
12
0
10
20
30
40
10
50
60
P
L
(W)
V
DS
= 28 V ;我
Dq
= 405毫安; F = 2170兆赫。
图1 。
一个音CW功率增益和漏EF网络效率的负载功率的功能;典型
值
20
G
p
（ dB）的
19
001aah605
G
p
60
η
D
(%)
50
10
IMD
（ DBC）
20
001aah606
IMD3
18
40
30
IMD5
17
η
D
30
40
IMD7
16
20
50
60
15
10
14
0
10
20
30
40
50
70
P
L（ PEP）的
(W)
60
0
70
0
10
20
30
40
50
60
70
P
L（ PEP）的
(W)
V
DS
= 28 V ;我
Dq
= 405毫安; F
1
= 2170 MHz的;
f
2
= 2170.1兆赫。
V
DS
= 28 V ;我
Dq
= 405毫安; F
1
= 2170 MHz的;
f
2
= 2170.1兆赫。
图2 。
双音CW功率增益和漏EF网络效率
由于峰值包络功率负载的功能;
典型值
图3 。
互调失真的函数
峰值包络功率负荷;典型值
BLF6G22-45_2
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产品数据表
牧师02 - 2008年4月21日
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