恩智浦半导体
BLF6G22-45
功率LDMOS晶体管
6.特性
表6 。
特征
T
j
= 25
°
每节;除非另有规定ED 。
符号参数
V
（ BR ） DSS
漏源击穿
电压
V
GS （ TH）
V
GSQ
I
DSS
I
DSX
I
GSS
g
fs
R
DS （ ON）
门源阈值电压
栅源电压静态
漏极漏电流
排水截止电流
栅极漏电流
正向跨导
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
- 0.5毫安
V
DS
= 10 V ;我
D
= 72毫安
V
DS
= 28 V ;我
D
= 300毫安
V
GS
= 0 V; V
DS
= 28 V
V
GS
= V
GS （ TH）
+ 3.75 V;
V
DS
= 10 V
V
GS
= 11 V; V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V ;我
D
= 3.5 A
V
GS
= V
GS （ TH）
+ 3.75 V;
I
D
= 2.5 A
民
65
1.4
1.65
-
-
-
-
-
典型值
-
1.9
2.15
-
12.5
-
5
0.2
最大
-
2.4
2.65
1.5
-
150
-
-
单位
V
V
V
A
A
nA
S
7.应用信息
表7中。
应用信息
操作模式： 2载波W-CDMA方式; PAR 7.5分贝在CCDF上0.01 ％的概率; 3GPP测试
模式1 ; 1至64 PDPCH ; F
1
= 2112.5兆赫; F
2
= 2117.5兆赫; F
3
= 2162.5兆赫; F
4
= 2167.5兆赫;
射频性能在V
DS
= 28 V ;我
Dq
= 405毫安;牛逼
例
= 25
°
℃;除非另有规定ED ;在一个
AB类生产测试电路。
符号
P
L（ AV）在
G
p
η
D
ACPR
参数
平均输出功率
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
P
L（ AV）在
= 2.5 W
P
L（ AV）在
= 2.5 W
P
L（ AV）在
= 2.5 W
条件
民
-
17.3
10.5
-
典型值
2.5
18.5
13
49
最大
-
19.7
-
46
单位
W
dB
%
dBc的
7.1耐用的AB类操作
该BLF6G22-45能够经受对应于负载失配的
驻波比= 10 ： 1通过下述条件下的所有阶段： V
DS
= 28 V;
I
Dq
= 405毫安; P
L
= 45 W（ CW） ; F = 2170兆赫。
BLF6G22-45_2
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牧师02 - 2008年4月21日
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