IRF644N ， IRF644NS ， IRF644NL ， SiHF644N ， SiHF644NS ， SiHF644NL
Vishay Siliconix公司
100
10000
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
= 175°C
V
GS
= 0V中，f = 1 MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C，电容（pF ）
1000
西塞
T
J
= 25°C
10
科斯
100
CRSS
V
DS
= 50V
20μs的脉冲宽度
4
6
8
10
11
13
15
1
10
1
10
100
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图。 3 - 典型的传输特性
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
3.5
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 14A
18
I
D
= 8.4A
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-60 -40 -20
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
16
V
DS
= 200V
V
DS
= 125V
V
DS
= 50V
12
8
4
V
GS
= 10V
0
20 40 60 80 100 120 140160 180
0
0
12
24
36
48
60
T
J
，结温（ ° C）
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
O
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
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4
文档编号： 91038
S-挂起-REV 。 A， 19军08
