IRF644N ， IRF644NS ， IRF644NL ， SiHF644N ， SiHF644NS ， SiHF644NL
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
D
2
PAK （ TO-263 ）
特点
250 V
V
GS
= 10 V
54
9.2
26
单身
0.240
先进的工艺技术
动态的dv / dt额定值
175
°C
工作温度
快速开关
全额定雪崩
易于并联的
简单的驱动要求
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
D
描述
Vishay的第五代功率MOSFET采用
先进的加工技术，以实现极低
导通电阻每硅片面积。这样做的好处，并结合
开关速度快和坚固耐用的设备的设计，
功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供
以一种极其有效的和可靠的装置，用于在一个使用
各种各样的应用。
在TO- 220封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平，以约50瓦的低热阻
和TO- 220封装低的成本导致其广泛
接受整个行业。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的上
在任何现有的表面电阻贴装封装。该
D
2
白是适合的，因为高电流应用其
较低的内部连接性和功耗最高
2.0 W的一个典型的表面安装的应用程序。
G
D
S
G
I
2
PAK （ TO- 262 ）
TO-220
S
N沟道
MOSFET
S
G
D
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-220
IRF644NPbF
SiHF644N-E3
IRF644N
SiHF644N
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF644NSPbF
SiHF644NS-E3
IRF644NS
SiHF644NS
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF644NSTRLPbF
a
SiHF644NSTL-E3
a
IRF644NSTRL
a
SiHF644NSTL
a
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF644NSTRRPbF
a
SiHF644NSTR-E3
a
IRF644NSTRR
a
SiHF644NSTR
a
I
2
PAK （ TO- 262 ）
IRF644NLPbF
SiHF644NL-E3
IRF644NL
SiHF644NL
记
一。请参阅设备的方向。
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
P
D
dv / dt的
极限
± 20
14
9.9
56
1.0
180
e
8.4
15
150
7.9
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
A
单位
V
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
雪崩电流
重复性雪崩能量
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91038
S-挂起-REV 。 A， 19军08
WORK -IN -PROGRESS
www.vishay.com
1
