IRF644N ， IRF644NS ， IRF644NL ， SiHF644N ， SiHF644NS ， SiHF644NL
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
165
1.0
14
A
56
1.3
250
1.6
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 14 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 14 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
。这仅适用于TO-220封装。
。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
V
DS
，漏极 - 源极电流（ V）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
底部
4.5V
100
顶部
10
底部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
4.5V
1
4.5V
1
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
0.1
0.1
1
10
100
0.1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
TJ = 175℃
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 1 - 典型的输出特性
图。 2 - 典型的输出特性
文档编号： 91038
S-挂起-REV 。 A， 19军08
www.vishay.com
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