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电气和热特性
表6提供的直流电气特性MPC755 。
表6.直流电气规格
在推荐的工作条件下（参见表3）
特征
公称
公共汽车
电压
1
2.5
3.3
2.5
3.3
2.5
3.3
符号
民
最大
单位
笔记
输入高电压（除所有输入
SYSCLK ）
输入低电压（除所有输入
SYSCLK ）
系统时钟输入高电压
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
KV
IH
KV
IH
KV
IL
KV
IL
I
in
I
TSI
1.6
2.0
–0.3
–0.3
1.8
2.4
–0.3
–0.3
—
—
1.7
2.4
—
—
—
(L2)OV
DD
+ 0.3
(L2)OV
DD
+ 0.3
0.6
0.8
OV
DD
+ 0.3
OV
DD
+ 0.3
0.4
0.4
10
10
—
—
0.45
0.4
5.0
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
V
V
V
V
pF
2, 3
2, 3
2
系统时钟输入低电压
2.5
3.3
输入漏电流，
V
in
= L2OV
DD
/ OV
DD
高阻（关闭状态）漏电流，
V
in
= L2OV
DD
/ OV
DD
输出高电压，I
OH
=
= 6毫安
2.5
3.3
输出低电压，I
OL
=
6毫安
2.5
3.3
电容，V
in
= 0 V ， F = 1兆赫
2, 3
2, 3, 5
V
OH
V
OH
V
OL
V
OL
C
in
3, 4
注意事项：
1.标称电压;请参阅表3中的建议的运行条件。
2.对于处理器的总线信号，基准为0V
DD
而L2OV
DD
是用于在L2总线信号的基准。
3.不包括测试信号（ LSSD_MODE ， L1_TSTCLK ， L2_TSTCLK ）和IEEE 1149.1边界扫描（ JTAG ）
信号。
4.电容周期性采样，而不是100 ％测试。
5.泄漏测量标称OV
DD
和V
DD
或两者的OV
DD
和V
DD
必须在相同的方向变化（包
例如，既OV
DD
和V
DD
通过为+ 5 ％或-5 ％）有所不同。
表7提供的功率消耗为MPC755 。
表7.功耗为MPC755
处理器（CPU）的频率
300兆赫
典型
最大
最大
3.1
4.5
1.8
350兆赫
3.6
5.3
打盹模式
2.0
2.3
2.8
W
1, 2
400兆赫
4.0
6.0
450兆赫
4.6
8.0
全功率模式
W
W
1, 3
1, 2
单位
笔记
10
MPC755 RISC微处理器硬件规格
摩托罗拉
