CY8CLED04D01 ， CY8CLED04D02
CY8CLED04G01 ， CY8CLED03D01
CY8CLED03D02 ， CY8CLED03G01
CY8CLED02D01 ， CY8CLED01D01
表15-3 。芯片级交流规范
符号
f
IMO24
f
CPU1
f
BLK
f
32K1
Jitter32k
Jitter24M1
描述
内部主振荡器频率为24
兆赫
CPU频率
数字模块频率
内部低速振荡器频率
32 kHz的周期抖动
24 MHz的周期抖动（ IMO）峰 - 峰值
民
23.04
0.093
0
15
–
–
典型值
24
24
48
32
100
600
最大
24.96
24.96
49.92
[3]
64
–
–
单位
兆赫
兆赫
兆赫请参阅
“ PSoC核心数字模块
特定网络阳离子“
在第47页。
千赫
ns
ps
笔记
图15-1 。 24 MHz的周期抖动（ IMO）时序图
15.3电源外设低端N沟道FET
下表列出了许可的最大和最小规格的电压和温度范围： 4.75V到5.25V
和T
J
≤
115℃。典型参数适用于5V在25 ℃。这些仅作为设计指导。
表15-4 。低端N沟道FET的DC规格
符号
V
DS
V
DS ， INST
I
D
I
DMAX
描述
经营漏极至源极电压
瞬时漏源电压
平均漏电流
最大瞬时脉冲重复
当前
民
–
–
–
–
–
–
典型值
–
–
–
–
–
–
最大
32
36
1
0.5
3
1.5
单位
V
V
A
A
A
A
CY8CLED04 / 3/2 / 1D01设备
CY8CLED04 / 3D02设备
小于33 ％的占空比为一个
1A ，女的平均电流
SW
=为0.1MHz 。
CY8CLED04 / 3/2 / 1D01设备
小于33 ％的占空比为一个
的0.5A ，女平均电流
SW
=
为0.1MHz 。 CY8CLED04 / 3D02设备
I
D
= 1A ， GDVDD = 5V ，T
J
= 25°C
CY8CLED04 / 3/2 / 1D01设备
I
D
= 0.5A ， GDVDD = 5V ，T
J
= 25°C
CY8CLED04 / 3D02设备
T
J
= 25°C
T
J
= 115°C
f
SW
= 2 MHz的
笔记
R
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
–
–
–
–
–
–
–
0.5
1
10
250
6.25
Ω
Ω
μA
μA
mA
I
DSS
I
SFET
交换节点保护地漏
电源电流每通道 - 场效应管（内部
栅极驱动器）
–
–
–
表15-5 。低端N沟道FET交流规范
符号
t
R
t
F
上升时间
下降时间
描述
民
–
–
典型值
–
–
最大
20
20
单位
ns
ns
笔记
I
D
= 1A ，R
D
= 32Ω
I
D
= 1A ，R
D
= 32Ω
记
3.请参见具体用户模块数据表的最大频率为用户模块的信息。
文件编号： 001-46319修订版* G
第32页52
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