CY8CLED04D01 ， CY8CLED04D02
CY8CLED04G01 ， CY8CLED03D01
CY8CLED03D02 ， CY8CLED03G01
CY8CLED02D01 ， CY8CLED01D01
图15-2 。低端N沟道FET测试电路的I
DSS ，
t
R和
t
F
R
D
I
D
R
G
V
输入
V
G
15.4电源外设外接电源FET驱动器
下表列出了许可的最大和最小规格的电压和温度范围： 4.75V到5.25V
和T
J
≤
115
o
C.典型参数适用于5V在25 ℃。这些仅作为设计指导。
表15-6 。功率FET驱动器DC规格
符号
V
OHN
V
OLN
I
SFETDRV
描述
民
典型值
–
–
–
–
–
最大
–
–
0.45
0.1
25
单位
V
V
V
V
mA
I
OH
-100毫安
I
OH
= 10毫安
I
OL
-100毫安
I
OL
= 10毫安
C
L
= 4NF在GDVDD = 5V ，
F
SW
= 1兆赫
笔记
N沟道FET驱动器输出电压VDD - 驱动 - 0.45
高
VDD - 0.1
N型沟道FET驱动器输出电压-drive
低
每个通道的电源电流 - 外部FET
司机
–
–
–
表15-7 。功率FET驱动器交流规范
符号
t
r
t
f
TP（ LH ）
tP的（ HL）。
上升时间
下降时间
传输延迟（由低到高）
传播延迟（从高至低） ）
描述
民
–
–
–
–
典型值
45
45
–
–
最大
55
55
10
10
单位
ns
ns
ns
ns
C
L
= 4NF在GDVDD = 5V
笔记
15.5电源外设滞后控制器
下表列出了许可的最大和最小规格的电压和温度范围： 4.75V到5.25V
和T
J
≤
115℃。典型参数适用于5V在25 ℃。这些仅作为设计指导。
表15-8 。滞环控制器DC规格
符号
V
IO
V
ICM
V
H
I
SHYST
描述
比较器的输入偏移电压
输入共模电压范围
滞后电压
电源电流 - 滞后控制器
民
–
–
0
4.5
–
典型值
–
–
–
–
2
最大
7.5
15
VDD
11
–
单位
mV
mV
V
mV
mA
比较器内部迟滞
V
ICM
= 1.5V - 2.5V
包括两个电源外设
比较器和一个参考
DAC ，女
SW
= 2 MHz的
第33页52
笔记
1V
≤
V
ICM
≤
3V
0V
≤
V
ICM
≤
VDD
文件编号： 001-46319修订版* G
[+ ]反馈
