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SUR50N03-12P
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
跨
80
T
C
=
55_C
60
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
克FS
跨导（S ）
0.04
0.05
Vishay Siliconix公司
导通电阻与漏电流
25_C
125_C
0.03
40
0.02
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
20
0.01
0
0
10
20
30
40
50
0.00
0
20
40
I
D
漏电流（ A）
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 50 A
60
80
I
D
漏电流（ A）
2500
电容
栅极电荷
2000
C
电容（pF）
C
国际空间站
1500
V GS
栅极 - 源极电压（ V）
8
6
1000
4
500
C
RSS
0
0
5
10
15
C
OSS
2
0
20
25
30
0
6
12
18
24
30
V
DS
漏极至源极电压（ V）
Q
g
总栅极电荷（ NC）
1.8
1.6
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
（归一化）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 15 A
I S
源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
T
J
结温（ ° C）
文档编号： 72774
S- 32695 -REV 。 A， 19 -JAN- 04
www.vishay.com
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