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SUR50N03-12P
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.012 @ V
GS
= 10 V
0.0175 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
17.5
14.5
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
PWM优化
D
100% R
g
经过测试
应用
D
DC / DC转换器
高边，台式机CPU核
D
同步整流器
D
TO-252
倒车线DPAK
的漏极连接到选项卡
G
D
S
G
顶视图
订货信息：
SUR50N03-12P—E3
SUR50N03-12P -T4 -E3 （ altrenate磁带取向）
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25_C
连续漏电流
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
最大功率耗散
工作结存储温度范围
L = 0 1毫亨
0.1
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
30
"20
47
17.5
12.4
40
5
30
45
46.8
6.5
a
55
175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结到环境
a
结到环境
最大结到外壳
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
文档编号： 72774
S- 32695 -REV 。 A， 19 -JAN- 04
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
18
40
2.6
最大
23
50
3.2
单位
° C / W
C / W
1
SUR50N03-12P
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
漏源导通状态
漏极 - 源极导通状态
前锋
阻力
b
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 15 A
跨
b
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
15
0.0138
40
0.010
0.012
0.017
0.0175
S
W
30
1.0
3.0
"100
1
50
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
总闸门
收费
c
收费
c
收费
c
栅极 - 源
栅极 - 漏极
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 15 V ，R
L
= 0.3
W
I
D
^
50 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 2.5
W
0.70
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 50 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
1600
285
140
13
6.0
5.0
1.5
9
15
20
12
2.50
15
25
30
20
ns
W
20
nC
p
pF
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
脉冲电流
二极管的正向电压
b
源漏反向恢复时间
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 40 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / MS
1.2
25
100
1.5
70
A
V
ns
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
。独立的工作温度。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
80
V
GS
= 10直通5 V
60
I D
漏电流（ A）
I D
漏电流（ A）
60
80
传输特性
40
4V
40
T
C
= 125_C
20
25_C
0
55_C
3
4
5
6
20
3V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
0
1
2
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72774
S- 32695 -REV 。 A， 19 -JAN- 04
www.vishay.com
2
SUR50N03-12P
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
跨
80
T
C
=
55_C
60
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
克FS
跨导（S ）
0.04
0.05
Vishay Siliconix公司
导通电阻与漏电流
25_C
125_C
0.03
40
0.02
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
20
0.01
0
0
10
20
30
40
50
0.00
0
20
40
I
D
漏电流（ A）
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 50 A
60
80
I
D
漏电流（ A）
2500
电容
栅极电荷
2000
C
电容（pF）
C
国际空间站
1500
V GS
栅极 - 源极电压（ V）
8
6
1000
4
500
C
RSS
0
0
5
10
15
C
OSS
2
0
20
25
30
0
6
12
18
24
30
V
DS
漏极至源极电压（ V）
Q
g
总栅极电荷（ NC）
1.8
1.6
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
（归一化）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 15 A
I S
源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
T
J
结温（ ° C）
文档编号： 72774
S- 32695 -REV 。 A， 19 -JAN- 04
www.vishay.com
3
SUR50N03-12P
Vishay Siliconix公司
热额定值
最大漏极电流比。
周围的温度一致
20
新产品
1000
安全工作区
16
I D
漏电流（ A）
I D
漏电流（ A）
100
有限
由R
DS （ ON）
10, 100
ms
12
10
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1s
T
A
= 25_C
单脉冲
10 s
DC ， 100秒
8
1
4
0.1
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
环境温度（ ℃）
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
0.05
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
100
1000
方波脉冲持续时间（秒）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
0.05
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
100
www.vishay.com
4
文档编号： 72774
S- 32695 -REV 。 A， 19 -JAN- 04
SUR50N03-12P
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.012 @ V
GS
= 10 V
0.0175 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
17.5
14.5
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
PWM优化
D
100% R
g
经过测试
应用
D
DC / DC转换器
高边，台式机CPU核
D
同步整流器
D
TO-252
倒车线DPAK
的漏极连接到选项卡
G
D
S
G
顶视图
订货信息：
SUR50N03-12P—E3
SUR50N03-12P -T4 -E3 （ altrenate磁带取向）
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25_C
连续漏电流
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
最大功率耗散
工作结存储温度范围
L = 0 1毫亨
0.1
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
30
"20
47
17.5
12.4
40
5
30
45
46.8
6.5
a
55
175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结到环境
a
结到环境
最大结到外壳
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
文档编号： 72774
S- 32695 -REV 。 A， 19 -JAN- 04
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
18
40
2.6
最大
23
50
3.2
单位
° C / W
C / W
1
SUR50N03-12P
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
漏源导通状态
漏极 - 源极导通状态
前锋
阻力
b
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 15 A
跨
b
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
15
0.0138
40
0.010
0.012
0.017
0.0175
S
W
30
1.0
3.0
"100
1
50
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
总闸门
收费
c
收费
c
收费
c
栅极 - 源
栅极 - 漏极
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 15 V ，R
L
= 0.3
W
I
D
^
50 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 2.5
W
0.70
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 50 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
1600
285
140
13
6.0
5.0
1.5
9
15
20
12
2.50
15
25
30
20
ns
W
20
nC
p
pF
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
脉冲电流
二极管的正向电压
b
源漏反向恢复时间
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 40 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / MS
1.2
25
100
1.5
70
A
V
ns
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
。独立的工作温度。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
80
V
GS
= 10直通5 V
60
I D
漏电流（ A）
I D
漏电流（ A）
60
80
传输特性
40
4V
40
T
C
= 125_C
20
25_C
0
55_C
3
4
5
6
20
3V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
0
1
2
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72774
S- 32695 -REV 。 A， 19 -JAN- 04
www.vishay.com
2
SUR50N03-12P
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
跨
80
T
C
=
55_C
60
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
克FS
跨导（S ）
0.04
0.05
Vishay Siliconix公司
导通电阻与漏电流
25_C
125_C
0.03
40
0.02
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
20
0.01
0
0
10
20
30
40
50
0.00
0
20
40
I
D
漏电流（ A）
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 50 A
60
80
I
D
漏电流（ A）
2500
电容
栅极电荷
2000
C
电容（pF）
C
国际空间站
1500
V GS
栅极 - 源极电压（ V）
8
6
1000
4
500
C
RSS
0
0
5
10
15
C
OSS
2
0
20
25
30
0
6
12
18
24
30
V
DS
漏极至源极电压（ V）
Q
g
总栅极电荷（ NC）
1.8
1.6
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
（归一化）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 15 A
I S
源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
T
J
结温（ ° C）
文档编号： 72774
S- 32695 -REV 。 A， 19 -JAN- 04
www.vishay.com
3
SUR50N03-12P
Vishay Siliconix公司
热额定值
最大漏极电流比。
周围的温度一致
20
新产品
1000
安全工作区
16
I D
漏电流（ A）
I D
漏电流（ A）
100
有限
由R
DS （ ON）
10, 100
ms
12
10
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1s
T
A
= 25_C
单脉冲
10 s
DC ， 100秒
8
1
4
0.1
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
环境温度（ ℃）
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
0.05
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
100
1000
方波脉冲持续时间（秒）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
0.05
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
100
www.vishay.com
4
文档编号： 72774
S- 32695 -REV 。 A， 19 -JAN- 04
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推荐型号
SC2128C-C30S
SA56606-20
SP6132HEU/TR
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