【SMBYW04-200BYW4200B高效率快恢复二极管主要产品特性IF（ AV ）VRRMVF（最】,IC型号SMBYW04-200,SMBYW04-200 PDF资料,SMBYW04-200经销商,ic,电子元器件-51电子网

SMBYW04-200

BYW4200B

高效率快恢复二极管

主要产品特性

F（ AV ）

RRM

（最大）

Tj max的

200 V

0.85 V

150 °C

4 （ TAB ）

特点和优点

适用于开关电源和驱动器

表面贴装封装

非常低正向损失

开关损耗极小

高浪涌电流能力

描述

单芯片整流器适用于开关模式电源

电源和高频转换器。

包装DPAK和SMC ，这个表面贴装

设备旨在用于在低电压，高

高频逆变器，续流和整改

应用程序。

绝对额定值

（限制值）

符号

RRM

F（ RMS ）

F（ AV ）

FSM

TSTG

参数

反向重复峰值电压

RMS正向电流

平均正向电流

= 0.5

浪涌不重复正向电流

存储温度范围

最大工作结温

DPAK

SMC

TCASE = 130℃

Tlead = 70℃

TP = 10毫秒

正弦

价值

200

- 65至+ 150

150

单位

°C

1(nc)

DPAK

BYW4200B

SMC

（ JEDEC DO- 214AB ）

SMBYW04-200

1999年10月 - 埃德： 4C

1/6

SMBYW04-200 / BYW4200B

热阻

符号

日（J -C ）

号（j -1）的

参数

结到外壳

结到引线

包

DPAK

SMC

价值

单位

° C / W

静态电气特性

符号

测试条件

反向漏电流

正向电压降

* TP = 5毫秒，

＆ LT ; 2 ％

** TP = 380

s, δ

＆ LT ; 2 ％

测试条件

TJ = 25°C

TJ = 100℃

TJ = 25°C

TJ = 100℃

= 12 A

= 4 A

= V

RRM

分钟。

典型值。

0.15

0.8

马克斯。

0.5

1.25

0.85

单位

脉冲测试：

为了评估损失使用下面的方程的最大导通：

P = 0.7 ×1

F（ AV ）

+ 0.037 I

F2(RMS)

恢复特性

符号

TJ = 25°C

测试条件

= 1A

= 30V

= 4A

= 1.1× V

最大

= 4A

/ DT = -50 A / μs的

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

图。 1 ：

正向平均功耗与

平均正向电流。

PF （AV）（W）的

4.5

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

0.0 0.5 1.0

δ = 0.05

δ = 0.1

δ = 0.2

δ = 0.5

δ=1

图。 2 ：

峰电流与外形。

IM （ A）

P=1.0W

P=1.5W

0.0 0.1 0.2

= TP / T

P=2.0W

P=2.5W

IF （ AV ）（A ）

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

= TP / T

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

4.0

4.5

5.0

2/6

SMBYW04-200 / BYW4200B

图。 3 ：

平均正向电流与环境

温度（ δ = 0.5）。

4.5

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

IF （ AV ）（A ）

SMC

Rth的第（j-一）= Rth的第（j-升）

DPAK

RTH （ J- A）=的Rth （J -C ）

图。 4 ：

正向压降与前进

电流（最大值）。

70.0

IFM （ A）

Tj=100°C

（典型值）

10.0

Tj=100°C

Rth(j-a)=75°C/W

Tj=25°C

1.0

= TP / T

TAMB （ ° C）

100

125

150

VFM （ V）

0.1

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

图。 5-1 ：

不重复浪涌峰值正向电流

与过载时间（ SMBYW04-200 ）。

Ta=25°C

图。 5-2 ：

不重复浪涌峰值正向电流

与过载时间（ BYW4200B ）。

IM （ A）

1E-3

IM （ A）

Tc=125°C

1E-3

Ta=50°C

Tc=75°C

=0.5

T（ S）

=0.5

T（ S）

1E-2

1E-1

1E+0

1E-2

1E-1

1E+0

图。 6-1 ：

热阻抗交界处变化

环境与脉冲持续时间（建议垫

布局，环氧树脂FR4 ， E（铜） = 35微米）（ SMBYW04-200 ）。

第i个第（j-一） / Rth的第（j-一）

1.00

= 0.5

= 0.2

图。 6-2 ：

热阻抗变化结

到外壳与脉冲持续时间（ BYW4200B ）。

1.0

第Z （J -C ） / Rth的（J -C ）

= 0.5

0.5

= 0.2

0.10

= 0.1

单脉冲

= 0.1

0.2

单脉冲

TP （多个）

0.01

1E-2

1E-1

1E+0

1E+1

= TP / T

TP （多个）

0.1

1E-3

1E-2

1E-1

= TP / T

1E+2

5E+2

1E+0

3/6

SMBYW04-200 / BYW4200B

图。 7 ：

反向恢复电流对的dI

/ DT 。

IRM （ A）

IF = IF （ AV）

90％的置信

图。 8 ：

反向恢复时间对的dI

/ DT 。

TRR （ NS ）

IF = IF （ AV）

90％的置信

2.5

2.0

1.5

1.0

Tj=100°C

Tj=25°C

0.5

DIF / DT （ A / μs）内

0.0

100

Tj=100°C

Tj=25°C

DIF / DT （ A / μs）内

100

图。 9 ：

结电容与反向

电压施加（典型值）。

100

C（ pF）的

F=1MHz

Tj=25°C

图。 10 ：

动态参数与结

温度。

250

IF=4A

dIF/dt=50A/s

VR=30V

QRR

200

IRM

VR （ V）

100

200

150

TRR

100

TJ （ ° C）

100

125

150

图。 11-1 ：

热阻结到环境

相对于在每个铅（环氧铜表面

印刷电路板FR4，铜厚度：

35毫米）（ SMBYW04-200 ）。

Rth的第（j-一）（ ℃/ W）的

100

0.0 0.5 1.0 1.5

图。 11-2 ：

热阻结到环境

与选项卡下的铜表面（环氧树脂印刷

电路板FR4 ，铜厚度： 35毫米）

(BYW4200B).

100

Rth的第（j-一）（ ℃/ W）的

S（铜）（平方厘米）

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

S（铜）（平方厘米）

4/6

SMBYW04-200 / BYW4200B

包装机械数据

DPAK

尺寸

REF 。

MILLIMETERS

分钟。

最大

2.20

2.40

0.90

1.10

0.03

0.23

0.64

0.90

5.20

5.40

0.45

0.60

0.48

0.60

6.00

6.20

6.40

6.60

4.40

4.60

9.35

10.10

0.80典型。

0.60

1.00

0°

8°

英寸

分钟。

马克斯。

0.086

0.094

0.035

0.043

0.001

0.009

0.025

0.035

0.204

0.212

0.017

0.023

0.018

0.023

0.236

0.244

0.251

0.259

0.173

0.181

0.368

0.397

0.031典型。

0.023

0.039

0°

8°

FOOT PRINT

（单位：毫米）

6.7

1.6

2.3

1.6

5/6

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