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SUR50N03-12P
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.012 @ V
GS
= 10 V
0.0175 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
17.5
14.5
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
PWM优化
D
100% R
g
经过测试
应用
D
DC / DC转换器
高边，台式机CPU核
D
同步整流器
D
TO-252
倒车线DPAK
的漏极连接到选项卡
G
D
S
G
顶视图
订货信息：
SUR50N03-12P—E3
SUR50N03-12P -T4 -E3 （ altrenate磁带取向）
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25_C
连续漏电流
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
最大功率耗散
工作结存储温度范围
L = 0 1毫亨
0.1
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
30
"20
47
17.5
12.4
40
5
30
45
46.8
6.5
a
55
175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结到环境
a
结到环境
最大结到外壳
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
文档编号： 72774
S- 32695 -REV 。 A， 19 -JAN- 04
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
18
40
2.6
最大
23
50
3.2
单位
° C / W
C / W
1
