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热
19.6.2
平台FIFO限制
请注意，基于平台的速度下FIFO的最大速度的限制。请参阅
第4.4节，
“平台为FIFO的限制， ”
了解更多信息。
表64. FIFO最大速度的限制
平台速度（MHz ）
533
400
FIFO的最大速度为参考时钟
TSECn_TX_CLK ， TSECn_RX_CLK （兆赫）
1
126
94
注意：
1. FIFO的速度应的平台速度小于24％。
20热
本节介绍MPC8533E的散热规范。
20.1
热特性
表65.封装热特性
特征
JEDEC董事会
单层电路板（ 1S）
四层板（ 2S2P ）
单层电路板（ 1S）
四层板（ 2S2P ）
—
—
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJB
R
θJC
价值
26
21
21
17
12
<0.1
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
笔记
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
3
4
表65
提供的封装热特性。
结到环境自然对流
结到环境自然对流
结到环境（为200英尺/分钟）
结到环境（为200英尺/分钟）
结至电路板的热
结至外壳热
注意事项：
1.结温是芯片尺寸的功能，片上功耗，封装热阻，安装位置（板）
温度，环境温度，空气溢流外，其它元件在电路板的功耗和电路板热
性。
2.根据JEDEC JESD51-2和JESD51-6用板（ JESD51-9 ）水平。
模具和根据JEDEC JESD51-8的印刷电路板3之间的热阻。电路板温度的测量
电路板上的封装附近的顶表面上。
所述管芯的有源表面和通过冷板的方法测定的情况下顶面之间（MIL 4.热敏电阻
SPEC -883方法1012.1 ），与计算出的外壳温度。实际热阻小于0.1 ℃/ W的
MPC8533E的PowerQUICC III集成处理器的硬件规格，第3版
飞思卡尔半导体公司
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