TCDT1110/TCDT1110G
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出
特点
额外的低耦合能力 - 典型0.2 pF的
高共模抑制
CTR的低温度系数
17201_1
NC
6
C
5
E
4
基本没有连接
铅（Pb） -free组件
e3
V
D E
1
A (+)
2
C (–)
3
NC
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
应用
开关模式电源
线路接收器
计算机外设接口
微处理器系统接口
电路用于对安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ电击
（增强型隔离） ：
- 对APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300 V
- 对APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
600 V
根据DIN EN 60747-5-5 。
描述
该
TCDT1110/TCDT1110G
由
of
a
光电晶体管的光耦合到砷化镓
在一个6引脚塑料双列直插式封装的红外发光二极管。
的元件提供输入和之间的固定距离
输出最高安全要求。
VDE标准
这些成色根据执行安全功能
以下设备标准：
DIN EN 60747-5-5
光电耦合器的电气安全要求
IEC 60950 / EN 60950
办公设备（适用于钢筋隔离电源
电压
≤
400 V
RMS
)
VDE 0804
电信设备和数据处理
IEC 60065
为了安全电源操作
家庭设备
电子
和
相关
机构认证
UL1577 ，文件号E76222系统代码A，双
保护
BSI IEC 60950 ; IEC 60065
DIN EN 60747-5-5待定
FIMKO
订购信息
部分
TCDT1110
TCDT1110G
记
G = leadform 10.16毫米; G不是标明阀体上。
(1)
备注
CTR > 100 ％ ， DIP - 6
CTR > 100 ％ ， DIP - 6
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
测试条件
符号
V
R
I
F
价值
6
60
3
100
125
单位
V
mA
A
mW
°C
t
p
/T
≤
10 s
I
FSM
P
DISS
T
j
文档编号： 83531
修订版1.8 ， 16 08年5月
如有技术问题，请联系： optocouplers.answers@vishay.com
www.vishay.com
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