
TCDT1110/TCDT1110G
光电耦合器,光电晶体管
产量
威世半导体
CTR - 电流传输比( % )
100
1000
V
CE
= 20
V
I
C
- 集电极电流(毫安)
V
CE
= 10
V
10
100
1
10
0.1
0.01
0.1
96 11904
1
10
100
1
0.1
1
10
100
I
F
- 正向电流(mA )
95 10976
I
F
- 正向电流(mA )
图。 12 - 集电极电流与正向电流
图。 15 - 电流传输比与正向电流
I
C
- 集电极电流(毫安)
20毫安
I
F
= 50毫安
10
10毫安
5毫安
2毫安
1毫安
0.1
0.1
1
10
100
t
on
/t
关闭
- 导通/关断时间(μs )
100
50
饱和运算
V
S
= 5
V
R
L
= 1 kΩ
40
30
t
关闭
20
10
0
0
5
10
15
t
on
20
1
95 10985
V
CE
- 集电极发射极
电压
(V)
95 10974
I
F
- 正向电流(mA )
图。 13 - 集电极电流与集电极发射极电压
图。 16 - 导通/关断时间与正向电流
t
on
/t
关闭
- 导通/关断时间(μs )
1.0
20
非饱和
手术
V
S
= 10
V
R
L
= 100
Ω
t
关闭
10
t
on
5
V
CESAT
- 集电极发射极
饱和
电压
(V)
0.8
20
%使用
0.6
CTR = 50
%
二手
0.4
0.2
10
%使用
0
1
10
100
15
0
0
2
4
6
8
10
95 10972
I
C
- 集电极电流(毫安)
95 10975
I
C
- 集电极(MA )
图。 14 - 集电极发射极饱和电压与集电极电流
图。 17 - 导通/关断时间与集电极电流
文档编号: 83531
修订版1.8 , 16 08年5月
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