AS4LC2M8S1
AS4LC1M16S1
通用于所有波形AC参数
符号
t
AC
参数
CLK到有效输出延迟
CAS
潜伏期
3
2
1
–7
民
–
–
–
–
2
0
1
1
2.75
7
8.7
20
1
1
2
2.75
1
2
3
2
1
5
5
4
1
2
1
0
2
2
0
3
2
1
–
–
–
1
最大
5.5
8.5
18
1
–
–
–
–
–
1000
1000
1000
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
5.5
8.5
18
–
民
–
–
–
–
2
0
1
1
3
8
10
25
1
1
2
3
1
2
5
5
4
1
2
1
0
2
2
0
–
–
–
1
–8
最大
6
7
22
1
–
–
–
–
–
1000
1000
1000
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
6
9
22
–
民
–
–
–
–
2
0
1
1
3
10
12
25
1
1
2
3.5
1
2
5
5
4
1
2
1
0
2
2
0
–
–
–
1
–10
最大
6
6
22
1
–
–
–
–
–
1000
1000
1000
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
9
9
22
–
单位
ns
ns
ns
ns
ns
t
CK
t
CK
t
CK
ns
ns
ns
ns
t
CK
ns
ns
ns
ns
ns
t
CK
t
CK
t
CK
ns
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
ns
t
CK
ns
ns
ns
ns
9
13
13
13
5,11
5,11
5,11
12
9
9
9
笔记
6
6,8
6,8
7
7
9
9
9
7
10
10
10
t
AH
地址保持时间
t
AS
地址建立时间
t
BDL
最后的数据到爆站
读/写命令
t
CCD
读/写命令
最后一个数据项到新
t
CDL
列地址的延迟
t
CH
CLK高电平宽度
t
CK
t
CKED
t
长实
t
中正
t
CL
t
CMH
t
CMS
t
DAL
CLK周期时间
CKE到时钟禁用或
掉电输入模式
CKE保持时间
CKE建立时间
CLK低电平宽度
CS ， RAS ， CAS，WE ， DQM
保持时间
CS ， RAS ， CAS，WE ， DQM
建立时间
数据输入到ACTIVE
命令
3
2
1
7
t
DH
数据保持时间
t
DPL
数据进行预充电
t
DQD
DQM输入数据延迟
DQM到数据屏蔽期间
t
DQM
写到
DQM到数据高阻
t
DQZ
在读
t
DS
数据建立时间
写命令的输入
t
DWD
数据延迟
t
HZ
t
LZ
数据输出高阻抗
时间
数据输出低阻抗
时间
8
半导体联盟
7/5/00
