AS4LC2M8S1
AS4LC1M16S1
18一个适当的上电初始化序列（如说明第10页）需要合适的设备操作确保前。 （V
DD
和V
DDQ
必须是
同时供电。 V
SS
和V
SSQ
必须在相同的电位。 ）两个自动刷新命令的唤醒，应重复任何时间吨
REF
刷新的要求超出。
19 AC特性假设吨
T
= 1纳秒。
20除了满足V的过渡速率说明书中，时钟和CKE必须中转
IH
和V
IL
（或V之间
IL
和V
IH
）中的单调
方式。
21测得的输出为1.4 V与等效负载。
Q
30 pF的
22 AC时间和我
DD
测试有V
IL
= 0V和V
IH
= 2.8 V与参考1.4V交叉点时间。
23 I
DD
规格测试后，该设备已正确初始化。
24最小时钟周期= （最小时间/时钟周期），四舍五入。
设备操作
描述
按照以下顺序，建议事先到正常操作。
1接通电源，启动时钟，并断言CKE和DQM高。所有其他
信号NOP 。
2上电后，暂停了最低为200ps的。 CKE / DQM =
高;所有其他NOP指令。
上电
3预充电两家银行。
4执行模式寄存器设置命令初始化模式寄存器。
5执行最低8自动刷新周期来稳定内部
电路。
（步骤4和5可以互换。 ）
该模式寄存器存储的SDRAM用户选择操作码
操作模式。 CAS延迟，突发长度，突发类型，测试模式
和其他供应商的特定功能选择/编程过程中
CS = = RAS CAS = WE =低;该模式寄存器设置命令循环。该模式的默认设置
模式寄存器设置
A0 A11 =码
寄存器在上电后没有被定义。因此，建议
该电和模式寄存器设置周期之前被执行的
正常运行的SDRAM 。请参考模式寄存器设置表
时序细节。
SDRAM中执行“无操作” （ NOP ）时， RAS ，CAS和
WE =高。由于NOP不执行任何操作时，它可以被用作一
等待在执行正常的SDRAM功能状态。 SDRAM的是
设备及取消
CS =高，或
取消当CS为高。 CS为高电平禁用命令解码器
无操作
RAS ， CAS ， WE =高
这样的RAS ， CAS，WE和地址输入将被忽略。设备
取消选择也被认为是一个NOP 。
SDRAM的配置有两个内部银行。使用银行
CS = RAS =低; CAS = WE =
激活命令到两个闲置的银行之一，选择一行。开始
高; A0 A10 =行地址;
银行激活
读或T后，写操作
RCD
从银行的时间（分钟）
A11 =银行选择
激活。
命令
PIN设置
10
半导体联盟
7/5/00
