AS4LC2M8S1
AS4LC1M16S1
命令
时钟暂停/电源
关断模式退出
PIN设置
CKE =高
描述
通过断言CKE高前恢复内部时钟操作
上升CLK的边缘。随后的命令可以发出一个时钟
Exit命令结束后周期。
SDRAM存储单元必须刷新每64毫秒，以保持数据
诚信。使用自动刷新命令来完成清爽
所有的SDRAM两岸行。行地址被设置
通过自动递增内部计数器。自动刷新
只能被断言时，两家银行是空闲的并且该设备不是在
掉电模式。需要填写的自动刷新时间
操作为t
RC
（分钟）。使用NOP指令在此期间，直到自动刷新
操作完成。两家银行将在这之后的空闲状态
操作。
自刷新是另一种模式用于刷新SDRAM的细胞。在这种模式下，
刷新地址和定时内部提供。自刷新条目
只允许在两家银行都处于闲置状态。内部时钟和所有输入
缓冲区除CKE是在此模式下禁用。自退出
通过重新启动外部时钟，然后声称CKE高刷新。
NOP指令必须遵循T的时间
RC
（分钟）用于SDRAM到达
空闲状态下是允许的正常运行。如果爆裂的自动刷新
在正常操作中使用，立刻爆出2048的自动刷新周期
后退出自刷新。
自动刷新
CS = = RAS CAS =低; WE =
CKE =高; A0 A11 =不
CARE
自刷新
CS = = RAS CAS = CKE =低;
WE =高; A0 A11 =不
CARE
初始化和加载模式寄存器
T0
T1
t
CK
t
中正
t
长实
Tn
t
CH
CLK
CKE
t
CMH
t
CL
Tm
Tp+1
Tp+2
Tp+3
t
CMS
预充电
所有
命令
DQM
*
NOP
自动刷新
NOP NOP
自动刷新
NOP NOP
负载模式
注册
NOP
活跃
t
AS
t
AH
CODE
体行
地址
DQ
高Z
T=200s
（分钟）
A10=HIGH
t
RP
t
RCAR
t
MRD
POWER UP ：
V
DD
和
CLK稳定。
预充电
所有银行。
（ 8自动刷新
周期）
自动刷新
节目模式寄存器
* DQM代表DQML和DQMH 。 DQML控制的低字节， DQMH控制高字节。
模式寄存器之前可以自动刷新周期如果需要加载。
输出，保证高Z命令发出后。
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半导体联盟
7/5/00
