IRF6795MTRPbF
D.U.T
驱动栅极驱动器
+
P.W.
期
D=
P.W.
期
V
GS
=10V
-
+
电路布局的注意事项
低杂散电感
地平面
低漏感
电流互感器
***
D.U.T.我
SD
波形
反向
恢复
当前
体二极管正向
当前
的di / dt
D.U.T. V
DS
波形
二极管恢复
dv / dt的
-
-
+
R
G
*
dv / dt的由R控制
G
驱动器的类型相同D.U.T.
I
SD
通过占空比控制"D"
D.U.T. - 被测设备
V
DD
V
DD
**
+
-
重施
电压
电感个当前
体二极管
正向压降
纹波
≤
5%
I
SD
*
使用P沟道驱动器，用于P通道测量
**
反向极性的P沟道
***
V
GS
= 5V的逻辑电平器件
图18 。
二极管的反向恢复测试电路
对于HEXFET
功率MOSFET
的DirectFET ？电路板面积， MX大纲
（中等大小，X -指定） 。
请参阅的DirectFET应用笔记AN- 1035有关的DirectFET大会的所有细节。
这包括模板和基板设计的所有建议。
G =门
D =漏
S =源
D
S
G
S
D
D
D
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