IRF6795MTRPbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
BV
DSS
ΒV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
OSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
栅极阈值电压系数
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
正向跨导
总栅极电荷
预Vth的栅极 - 源极充电
后Vth的栅极至源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电荷过载
切换电荷（Q
gs2
+ Q
gd
)
输出充电
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
25
–––
–––
–––
1.35
–––
–––
–––
–––
–––
100
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
–––
11
1.4
2.4
1.8
-4.2
–––
–––
–––
–––
–––
35
8.8
4.8
10
11
14.8
27
1.3
16
27
16
11
4280
1280
550
–––
–––
1.8
3.2
条件
V V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
毫伏/ ℃参考至25℃ ，我
D
= 5毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 32A
V
GS
= 4.5V ，我
D
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
2.35
V
---毫伏/°C， V
DS
= V
GS
, I
D
= 10毫安
500
μA V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
5.0
100
-100
–––
53
–––
–––
–––
–––
–––
–––
2.2
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
nC
i
= 25A
i
mA
nA
S
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 13V ，我
D
= 25A
V
DS
= 13V
nC
V
GS
= 4.5V
I
D
= 25A
参见图。 15
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DD
= 13V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 25A
R
G
= 1.8
参照图17
V
GS
= 0V
V
DS
= 13V
= 1.0MHz的
ns
i
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
–––
–––
–––
27
34
32
A
250
0.75
41
51
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 25A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 25A
的di / dt = 200A / μs的
g
i
i
注意事项：
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
2
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