PD - 97321C
HEXFET
功率MOSFET加上肖特基二极管
l
符合RoHS
不含铅和卤素
l
IRF6795MPbF
IRF6795MTRPbF
V
R
R
典型值（除非另有规定）
DSS
GS
DS （ ON）
DS （ ON）
单片集成肖特基二极管
25V最大± 20V最大1.4mΩ @ 10V值为2.4MΩ @ 4.5V
l
薄型（ <0.7毫米）
l
双面冷却兼容
Q
克TOT
Q
gd
Q
gs2
Q
rr
Q
OSS
V
GS （ TH）
l
超低封装电感
35nC
10nC
4.8nC
34nC
27nC
1.8V
l
优化高频开关
l
理想的CPU内核的DC -DC转换器
l
优化同步。同步FET插座。降压转换器？
l
低传导损耗和开关损耗
l
兼容现有的表面贴装技术
l
100 ％通过Rg测试
的DirectFET ？等距
MX
适用的DirectFET外形及其基材纲要（见p.7,8了解详情）
V
SQ
SX
ST
MQ
MX
MT
MP
描述
该IRF6795MPbF结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET
TM
包装实现
最低的通态电阻中，有一个SO-8和仅0.7毫米轮廓的足迹的软件包。 DirectFET封装兼容
在功率应用中使用的现有布局的几何形状，印刷电路板的组装设备和汽相，红外线或对流焊接
技术。应用笔记AN- 1035之后就制造方法和过程。 DirectFET封装允许双
双面冷却，以最大限度地提高电力系统的热传递，由80 ％提高以前的最好的热阻。
该IRF6795MPbF余额业界领先的导通电阻，同时尽量减少与极低的封装电感栅极电荷
同时降低导通损耗和开关损耗。本部分包括一个集成的肖特基二极管，以减少体内流失二极管的Qrr进一步
减少同步降压电路中的损耗。减少损失，使这款产品非常适合高频率/高效率的DC -DC
转换器功率大电流负载，如最新一代的微处理器。该IRF6795MPbF进行了优化
这是在同步降压转换器的同步FET的插座的关键参数。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
E
AS
I
AR
6
典型的RDS （ ON） （ MΩ）
马克斯。
25
±20
32
25
160
250
190
25
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
单位
V
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
连续漏电流， V
GS
漏电流脉冲
雪崩电流
单脉冲雪崩能量
g
e
@ 10V
e
@ 10V
f
h
14.0
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
0
10
20
30
ID = 25A
A
g
mJ
A
5
4
3
2
1
0
2
4
6
8
10
12
14
ID = 32A
VDS = 20V
VDS = 13V
T J = 125°C
T J = 25°C
16
18
20
40
50
60
70
80
90
VGS ，门-to - 源电压（V ）
图1 。
典型导通电阻与栅极电压
注意事项：
点击此部分链接到相应的技术文件。
点击此部分链接到的DirectFET网站。
表面安装1英寸方铜电路板，稳定状态。
Q g总栅极电荷（ NC）
图2 。
典型的总栅极电荷与栅极至源极电压
T
C
用热电偶测量安装在顶部的一部分（漏） 。
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.60mH ，R
G
= 25, I
AS
= 25A.
www.irf.com
1
02/10/2010
IRF6795MTRPbF
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
2.3V
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
2.3V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
100
底部
1
2.3V
10
2.3V
1
0.1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
0.01
0.1
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
0.1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 150℃
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图4 。
典型的输出特性
1000
VDS = 15V
≤
在60μs脉冲宽度
100
T J = 150℃
10
T J = 25°C
T J = -40°C
2.0
图5 。
典型的输出特性
ID = 32A
典型的R DS （ ON） （正火）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
V GS = 10V
1.5
V GS = 4.5V
1.0
1
0.1
1
2
3
4
5
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
图6 。
典型的传输特性
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的，C DS短路
CRSS = Cgd的
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
T J ，结温（ ° C）
图7 。
归一化的导通电阻与温度的关系
10
T J = 25°C
8
VGS = 3.5V
VGS = 4.0V
VGS = 4.5V
VGS = 5.0V
VGS = 10V
10000
西塞
科斯
1000
CRSS
典型的RDS （ ON） （ MΩ）
COSS =硫化镉+ Cgd的
C，电容（pF ）
6
4
2
100
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0
0
50
100
150
200
图8 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
4
图9 。
典型导通电阻比。
漏电流和栅极电压
ID ，漏电流（ A）
www.irf.com
PD - 97321
HEXFET
功率MOSFET加上肖特基二极管
符合RoHS标准不含铅和溴化物
V
DSS
V
GS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
l
单片集成肖特基二极管
25V最大± 20V最大1.4mΩ @ 10V值为2.4MΩ @ 4.5V
l
薄型（ <0.7毫米）
l
双面冷却兼容
Q
克TOT
Q
gd
Q
gs2
Q
rr
Q
OSS
V
GS （ TH）
l
超低封装电感
35nC
10nC
4.8nC
34nC
27nC
1.8V
l
优化高频开关
l
理想的CPU内核的DC -DC转换器
l
优化同步。同步FET插座。降压转换器？
l
低传导损耗和开关损耗
l
兼容现有的表面贴装技术
l
100 ％通过Rg测试
的DirectFET ？等距
MX
适用的DirectFET外形及其基材纲要（见p.7,8了解详情）
l
IRF6795MPbF
IRF6795MTRPbF
典型值（除非另有规定）
SQ
SX
ST
MQ
MX
MT
MP
描述
该IRF6795MPbF结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET
TM
包装实现
最低的通态电阻中，有一个SO-8和仅0.7毫米轮廓的足迹的软件包。 DirectFET封装兼容
在功率应用中使用的现有布局的几何形状，印刷电路板的组装设备和汽相，红外线或对流焊接
技术。应用笔记AN- 1035之后就制造方法和过程。 DirectFET封装允许双
双面冷却，以最大限度地提高电力系统的热传递，由80 ％提高以前的最好的热阻。
该IRF6795MPbF余额业界领先的导通电阻，同时尽量减少与极低的封装电感栅极电荷
同时降低导通损耗和开关损耗。本部分包括一个集成的肖特基二极管，以减少体内流失二极管的Qrr进一步
减少同步降压电路中的损耗。减少损失，使这款产品非常适合高频率/高效率的DC -DC
转换器功率大电流负载，如最新一代的微处理器。该IRF6795MPbF进行了优化
这是在同步降压转换器的同步FET的插座的关键参数。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
E
AS
I
AR
6
典型的RDS （ ON） （ MΩ）
马克斯。
25
±20
32
25
160
250
190
25
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
单位
V
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
连续漏电流， V
GS
漏电流脉冲
雪崩电流
g
e
@ 10V
e
@ 10V
f
h
14.0
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
0
10
20
30
ID = 25A
A
单脉冲雪崩能量
g
mJ
A
ID = 32A
5
4
3
T J = 125°C
2
T J = 25°C
1
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VDS = 20V
VDS = 13V
40
50
60
70
80
90
VGS ，门-to - 源电压（V ）
图1 。
典型导通电阻与栅极电压
注意事项：
点击此部分链接到相应的技术文件。
点击此部分链接到的DirectFET网站。
表面安装1英寸方铜电路板，稳定状态。
Q g总栅极电荷（ NC）
图2 。
典型的总栅极电荷与栅极至源极电压
T
C
用热电偶测量安装在顶部的一部分（漏） 。
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.60mH ，R
G
= 25, I
AS
= 25A.
www.irf.com
1
05/27/08
IRF6795MTRPbF
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
2.3V
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
2.3V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
10
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
1
10
0.1
2.3V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
0.01
0.1
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
1
0.1
2.3V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 150℃
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图4 。
典型的输出特性
1000
VDS = 15V
≤
在60μs脉冲宽度
100
T J = 150℃
10
T J = 25°C
T J = -40°C
2.0
图5 。
典型的输出特性
ID = 32A
典型的R DS （ ON） （正火）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
V GS = 10V
1.5
V GS = 4.5V
1.0
1
0.1
1
2
3
4
5
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
T J ，结温（ ° C）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图6 。
典型的传输特性
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的，C DS短路
CRSS = Cgd的
图7 。
归一化的导通电阻与温度的关系
10
T J = 25°C
8
典型的R DS （ ON） （ MΩ）
COSS =硫化镉+ Cgd的
C，电容（pF ）
10000
西塞
科斯
1000
CRSS
6
VGS = 3.5V
VGS = 4.0V
VGS = 4.5V
VGS = 5.0V
VGS = 10V
4
2
100
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0
0
50
100
150
200
ID ，漏电流（ A）
图8 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
图9 。
典型导通电阻比。
漏电流和栅极电压
4
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