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PD - 91811
IRFB9N60A
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
快速开关
易于Paraleling的
简单的驱动要求
D
V
DSS
= 600V
G
S
R
DS （ ON）
= 0.75
I
D
= 9.2A
描述
国际整流器第三代HEXFETs提供设计师
与快速切换的最佳组合，坚固耐用的设备设计，低导通
性和成本效益。
在TO- 220封装普遍首选的所有商业工业
应用在功率耗散水平到约50瓦。低
热电阻及TO -220的低包成本有助于其宽
接受整个行业。
TO-220AB
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3 srew
马克斯。
9.2
5.8
37
170
1.3
± 30
290
9.2
17
5.0
-55到+ 150
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
0.75
–––
62
单位
° C / W
www.irf.com
1
10/7/98
IRFB9N60A
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
600 ––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- 0.66 --- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
––– ––– 0.75
V
GS
= 10V ，我
D
= 5.5A
2.0
––– 4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
5.5
––– –––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 5.5A
––– ––– 25
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
A
––– ––– 250
V
DS
= 480V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
––– ––– 100
V
GS
= 30V
nA
––– ––– -100
V
GS
= -30V
––– ––– 49
I
D
= 9.2A
––– ––– 13
nC
V
DS
= 400V
––– ––– 20
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
13 –––
V
DD
= 300V
–––
25 –––
I
D
= 9.2A
ns
–––
30 –––
R
G
= 9.1
–––
22 –––
R
D
= 35.5Ω ，参照图10
D
铅之间，
4.5 –––
–––
6毫米（0.25英寸）。
nH
G
从包
–––
7.5 –––
而中心的模具接触
S
––– 1400 –––
V
GS
= 0V
––– 180 –––
V
DS
= 25V
–––
7.1 –––
pF
= 1.0MHz的，见图。五
––– 1957 –––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
–––
49 –––
V
GS
= 0V, V
DS
= 480V ， = 1.0MHz的
–––
96 –––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至480V
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
9.2
––– –––
展示
A
G
整体反转
––– –––
37
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.5
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 9.2A ，V
GS
= 0V
––– 530 800
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 9.2A
––– 3.0 4.4
μC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
起始物为
J
= 25℃时，L = 6.8mH
R
G
= 25, I
AS
= 9.2A 。 （参见图12）
I
SD
≤
9.2A ， di / dt的
≤
50A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
150°C
2
www.irf.com
IRFB9N60A
100
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.7V
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.7V
顶部
10
1
4.7V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
4.7V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
0.1
0.1
1
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
3.0
I
D
= 9.2A
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.5
10
T
J
= 150
°
C
2.0
1.5
T
J
= 25
°
C
1
1.0
0.5
0.1
4.0
V DS = 50V
20μs的脉冲宽度
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRFB9N60A
2400
20
2000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
C
为s
C
RSS
C
SS
=
=
=
=
0V,
F = 1M ^ h
C
的s
+ C
克
, C
S
中文 TE
C
gd
C
ds
+ C
gd
I
D
= 9.2A
400V
V
DS
= 480V
V
DS
= 300V
V
DS
= 120V
16
C，电容（pF ）
C
国际空间站
1600
C
OSS
1200
12
8
800
400
C
RSS
4
0
1
10
100
1000
A
0
0
10
20
测试电路
见图13
30
40
50
V
S
，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
1000
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
I
SD
，反向漏电流（ A）
10
I
D
，漏电流（ A）
100
T
J
= 150
°
C
10us
10
100us
1ms
1
10ms
1
T
J
= 25
°
C
0.1
0.2
V
GS
= 0 V
0.5
0.7
1.0
1.2
0.1
T
C
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
10
100
1000
10000
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRFB9N60A
10.0
V
DS
V
GS
R
D
8.0
D.U.T.
+
R
G
I
D
，漏电流（ A）
-
V
DD
6.0
10V
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
4.0
图10A 。
开关时间测试电路
2.0
V
DS
90%
0.0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度
( °C)
10%
V
GS
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图10B 。
开关时间波形
1
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
单脉冲
（热反应）
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.00001
0.0001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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5
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IDT7134SA35FI
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IDT54FCT157DTQB
IS93C46A-3GRL
ILA8362ANS
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IDT74FCT16823CTPF
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IRF823
ISD4002-120SD
IDT74ALVCHR16270PA
IDT71322L70P
IS42S86400B-6TLI
IRKH4204A
IRKH42-04A
IDT49FCT806BT
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    IRFB9N60A
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