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IRFH5207PbF
1000
1000
在这一领域
限制根据RDS （ ON）
ISD ，反向漏电流（ A）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
T J = 150℃
100
100sec
T J = 25°C
10
10
1msec
10msec
1
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
0.1
0.10
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VGS = 0V
1.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
VSD ，源极到漏极电压（V ）
图7 。
典型的源漏二极管正向电压
75
图8 。
最大安全工作区
5.0
60
ID ，漏电流（ A）
VGS （ th）时，栅极阈值电压（ V）
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
ID = 1.0A
ID = 1.0毫安
ID = 150μA
ID = 100μA
45
30
15
0
25
50
75
100
125
150
T C ，外壳温度（ ° C）
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T J ，温度（° C）
图9 。
最大漏极电流比。
案例（下）温度
10
热响应（Z thJC ）° C / W
图10 。
阈值电压与温度的关系
1
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.001
0.01
0.1
0.01
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳（底部）
4
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