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PD -96298
IRFH5207PbF
HEXFET
功率MOSFET
V
DS
R
DS （ ON） MAX
(@V
GS
= 10V)
75
9.6
39
1.7
71
V
m
nC
A
PQFN 5X6毫米
Q
G（典型值）
R
G（典型值）
I
D
(@T
C（下）
= 25°C)
应用
次级侧同步整流
逆变器的直流电动机
的DC-DC砖应用
升压转换器
特点和优点
特点
好处
低导通电阻（ < 9.6毫欧）
低热阻的PCB （ < 1.2 ° C / W）
100 ％通过Rg测试
薄型（ <0.9毫米）
结果
工业标准引脚
兼容现有的表面贴装技术
不含铅，无溴，无卤素RoHS标准
MSL1 ，工业资质
更低的传导损耗
实现了更好的散热
提高可靠性
增加功率密度
多厂商兼容性
容易制造
环境友好
提高可靠性
订购型号
IRFH5207TRPBF
IRFH5207TR2PBF
套餐类型
PQFN 5× 6毫米
PQFN 5× 6毫米
标准包装
形式
QUANTITY
磁带和卷轴
4000
400
磁带和卷轴
记
绝对最大额定值
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
D
@ T
C（下）
= 25°C
I
D
@ T
C（下）
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@ T
C（下）
= 25°C
T
J
T
英镑
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
马克斯。
75
± 20
13
11
71
45
285
3.6
105
0.029
-55到+ 150
单位
V
A
g
g
c
W
W / ℃，
°C
线性降额因子
工作结
存储温度范围
g
笔记
通过
是第8页
www.irf.com
1
04/12/10
