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IRFH5207PbF
1000
顶部
VGS
15V
10V
7.00V
5.00V
4.75V
4.50V
4.25V
4.00V
1000
顶部
VGS
15V
10V
7.00V
5.00V
4.75V
4.50V
4.25V
4.00V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
100
底部
10
底部
1
4.0V
0.1
10
4.0V
≤
60s
脉冲宽度
0.01
0.1
1
TJ = 25°C
1
≤
60s
脉冲宽度
TJ = 150℃
0.1
1
10
100
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
图2 。
典型的输出特性
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
ID = 43A
VGS = 10V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
10
T J = 150℃
1
T J = 25°C
VDS = 25V
≤60s
脉冲宽度
0.1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
TJ ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
14
ID = 43A
VDS = 60V
VDS = 38V
VDS = 15V
10000
C，电容（pF ）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
12
10
8
6
4
2
0
西塞
1000
科斯
100
CRSS
10
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0
10
20
30
40
50
60
QG ，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
图6 。
典型栅极电荷vs.Gate - to-Source电压
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