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A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
特殊包装处理说明
特殊处理所需的闪存产品在包装成型
（ FBGA ） 。包和/或数据完整性可以，如果包受损
体被放置在温度超过150℃的时间的延长期限。
引脚说明
A22–A0
A23
DQ15–DQ0
CE ＃楼
CE#1pS
CE#2pS
OE ＃
WE＃
RDY
CLK
AVD ＃
UB ＃
磅＃
RESET＃
WP ＃
加
V
CC
f
V
CCP
s
VIO
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V
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NC
俄罗斯足协
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23地址输入（通用）
1地址输入（闪光）
16数据输入/输出（普通）
芯片使能（闪存）
芯片ENABLE1 （ PSRAM ）
芯片使能2 （ PSRAM ）
输出使能（普通）
写使能（普通）
准备就绪输出
时钟输入
地址有效输入
高字节控制（ SRAM ）
低字节控制（ SRAM ）
硬件复位引脚，低电平有效（闪光灯）
硬件写保护（闪存）
加速引脚（闪光）
闪存1.8伏，只有单电源供电（见产品
选型指南速度选项和电源电压
公差）
PSRAM电源
PSRAM输出缓冲电源
设备接地（公共）
引脚没有内部连接
留作将来使用
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8
2004年S71WS512NE0BFWZZ_00_A1 6月28日，
