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S71WS512NE0BFWZZ
堆叠式多芯片产品（ MCP ）闪存
PSRAM和CMOS 1.8伏，
同时操作，突发模式闪存
和伪静态RAM
ADVANCE
信息
特色鲜明
MCP特点
经营1.65电压范围为1.95 V
高性能
- 速度： 54MHz的
套餐
- 96球FBGA - 9× 12毫米
工作温度
- 无线： -25 ° C至+ 85°C
概述
该S71WS512系列是堆叠多芯片的产品线
产品（MCP）和由
一个或多个S29WS256N
（同时使用，突发模式）闪光灯模
PSRAM选项
- 128Mb的PSRAM
包括在本文档中的产品列表如下。为
关于其规范的细节，请参阅各
构成数据表的进一步细节。
S29WSxxxN数
2
共有闪存密度
512Mb
PSRAM的密度
256Mb
MCP
S71WS512NE0
注意事项：
1.本MCP只保证操作@ 1.65 - 1.95 V ，无论组件的工作范围。
公开号
S71WS512NE0BFWZZ_00
调整
A
修订
1
发行日期
2004年6月28日
