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A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
的顺序号（有效组合）由以下物质形成：
S
71
W S
512
否E
0
B
; F W ZZ
0
包装类型
0
2
3
- 托盘
= 7 “带卷&
= 13 “磁带&卷轴
另外订购选项
见产品选型指南
温度（和可靠性） GRADE
E
W
I
A
F
B
0
8
A
B
C
E
=工程样品
=无线（ -25
°
C至+ 85
°
C)
=工业（ -40
°
C至+ 85
°
C)
=标准（无铅兼容）封装
=铅（Pb ） - 免费套餐
= BGA封装
=没有第二个内容
=
=
=
=
=
8兆
16兆
32 MB
64 MB
256 MB （双128MB）
包装材料SET （ BGA封装类型）
套餐类型
芯片内容- 2
片内容- 1
Spansion闪存工艺技术
（以字符4-8密度最高的闪存描述）
N
512
S
= 110纳米的MirrorBit
TM
技术
= 2 S29WS256N
= 1.8伏V
CC
BASE NOR闪存的密度
BASE NOR FLASH内核电压
BASE NOR FLASH接口和同步读/
写
W
71
S
=同步读/写，突发
=闪光基地+ XRAM 。
= Spansion公司
产品系列
PREFIX
有效组合
有效组合列表配置计划在音量此设备支持。
请咨询当地的销售办事处，以确认具体的有效组合和可用性
检查新发布的组合。
2004年6月28日S71WS512NE0BFWZZ_00_A1
11
