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Si4500BDY
Vishay Siliconix公司
互补MOSFET半桥（ N和P通道）
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
N沟道
P沟道
P沟道
20
20
20
特点
r
DS （ ON）
(W)
0.020 @ V
GS
= 4.5 V
0.030 @ V
GS
= 2.5 V
0.060 @ V
GS
=
4.5
V
0.100 @ V
GS
=
2.5
V
I
D
(A)
9.1
7.5
5.3
4.1
D
TrenchFETr功率MOSFET
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
G
1
订购信息： Si4500BDY
Si4500BDY -T1 （带编带和卷轴）
Si4500BDY -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si4500BDY -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费带编带和卷轴）
8
7
6
5
D
D
D
D
G
2
S
2
D
S
1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
N沟道
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
A，B
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
A，B
最大功率耗散
A，B
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P沟道
10秒。
稳定状态
20
"12
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒。
稳定状态
20
"12
单位
V
9.1
7.3
30
2.1
2.5
1.6
6.6
5.3
1.1
1.3
0.8
5.3
4.9
20
2.1
2.5
1.6
55
150
3.8
3.1
1.1
1.3
0.8
W
_C
A
热电阻额定值
N沟道
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。吨
v
10秒
文档编号： 72281
S- 41428 -REV 。 B， 26 -JUL- 04
www.vishay.com
t
v
10秒
稳态
稳态
P-通道
典型值
41
75
23
符号
R
thJA
R
thJF
典型值
40
75
20
最大
50
95
22
最大
50
95
26
单位
° C / W
C / W
1
