Si4500BDY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （H ）
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
=
16
V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
=
16
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
导通状态
在国家漏极电流
b
I
D( )
D（上）
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
=
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 9.1 A
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
b
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
5.3
A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 3.3 A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
1
A
正向跨导
b
g
f
fs
V
SD
V
DS
= 15 V，I
D
= 9.1 A
V
DS
=
15
V，I
D
=
5.3
A
I
S
= 2.1 A，V
GS
= 0 V
I
S
=
2.1
A，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
30
20
0.016
0.048
0.024
0.082
29
11
0.8
0.8
1.2
1.2
0.020
0.060
0.030
0.100
S
W
0.6
0.6
1.5
1.5
"100
"100
1
1
5
5
A
mA
V
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
门体
门体漏
nA
二极管的正向电压
b
V
动态
a
总栅极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
d
t
d( )
D（上）
t
r
t
D（ FF）
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.1 A， di / dt的= 100 A / MS
I
F
=
2.1
A， di / dt的= 100 A / MS
N沟道
CH
l
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1
A，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
W
P沟道
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
W
10 V
I
D
^
1
A，V
根
=
4.5
V ，R
g
= 6
W
N沟道
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 9.1 A
P沟道
V
DS
=
10
V, V
GS
=
4.5
V I
D
=
5.3
A
10 V
4 5 V,
53
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
11
6.0
2.5
1.3
3.2
1.6
35
20
50
35
31
55
15
35
30
25
50
30
80
60
50
85
30
60
60
50
ns
17
9
nC
栅极 - 源
门源电荷
栅极 - 漏极
闸漏极电荷
开启
打开延迟时间
上升时间
打开-O FF
关闭延迟时间
下降时间
源极 - 漏极
源漏反向恢复时间
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
www.vishay.com
2
文档编号： 72281
S- 41428 -REV 。 B， 26 -JUL- 04
