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Si4500BDY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
25
I
D
漏电流（ A）
20
15
2V
10
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
V
GS
= 5通3 V
2.5 V
30
25
I
D
漏电流（ A）
20
15
10
5
0
0.0
N沟道
传输特性
T
C
= 125_C
25_C
55_C
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1.5 V
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.08
0.07
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
C
电容（pF）
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0.00
0
5
10
15
20
25
30
I
D
漏电流（ A）
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
C
RSS
0
0
4
电容
C
国际空间站
C
OSS
8
12
16
20
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
DS
= 10 V
I
D
= 9.1 A
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.6
导通电阻与结温
V GS
栅极 - 源极电压（ V）
4
1.4
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 9.1 A
3
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
2
4
6
8
10
12
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
文档编号： 72281
S- 41428 -REV 。 B， 26 -JUL- 04
www.vishay.com
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