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EBD10RD4ABFA
引脚电容（ TA = + 25 ° C， VDD = 2.5V ± 0.2V ）
参数
输入电容
输入电容
数据和DQS的输入/输出
电容
符号
CI1
CI2
CO
引脚
地址， / RAS ， / CAS ， / WE ，
/ CS ， CKE
CK ， / CK
DQ ， DQS ， CB
马克斯。
12
20
15
单位
pF
pF
pF
笔记
1, 3
1, 3
1, 2, 3
注：1.这些参数的条件下测得： F = 100MHz时， VOUT = VDDQ / 2 ，
ΔVOUT
= 0.2V.
2. Dout的电路都被禁止。
3.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
AC特性（ TA = 0 + 70 ° C， VDD ， VDDQ = 2.5V ± 0.2V ， VSS = 0V ）
°
（ DDR SDRAM组件规格）
-6B
参数
时钟周期时间
（CL = 2）的
（CL = 2.5）
CK高电平宽度
CK低电平宽度
CK半期
符号
TCK
TCK
总胆固醇
TCL
THP
分钟。
7.5
6
0.45
0.45
民
（TCH ， TCL ）
最大
12
12
0.55
0.55
—
0.7
0.6
0.45
-7A
分钟。
7.5
7.5
0.45
0.45
民
（TCH ， TCL ）
–0.75
–0.75
—
最大
12
12
0.55
0.55
—
0.75
0.75
0.5
-7B
分钟。
10
7.5
0.45
0.45
民
（TCH ， TCL ）
–0.75
–0.75
—
最大
12
12
0.55
0.55
—
0.75
0.75
0.5
单位注
ns
ns
TCK
TCK
TCK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TCK
TCK
ns
ns
ns
ns
TCK
TCK 9
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
ns
8
8
8
7
5, 11
6, 11
2, 11
2, 11
3
10
DQ输出访问时间
TAC
–0.7
CK ， / CK
从CK DQS输出访问时间，
tDQSCK -0.6
/ CK
DQS到DQ歪斜
DQ / DQS的输出保持时间
的DQ
数据保持倾斜因子
TDQSQ
tQH
TQHS
—
THP - TQHS -
—
–0.7
–0.7
0.9
0.4
0.45
0.45
1.75
0.55
0.7
0.7
1.1
0.6
—
—
—
—
—
0.6
1.25
—
—
—
—
—
THP - TQHS -
—
–0.75
–0.75
0.9
0.4
0.5
0.5
1.75
0
0.25
0.4
0.75
0.2
0.2
0.35
0.35
0.9
0.75
0.75
0.75
1.1
0.6
—
—
—
—
—
0.6
1.25
—
—
—
—
—
THP - TQHS -
—
–0.75
–0.75
0.9
0.4
0.5
0.5
1.75
0
0.25
0.4
0.75
0.2
0.2
0.35
0.35
0.9
0.75
0.75
0.75
1.1
0.6
—
—
—
—
—
0.6
1.25
—
—
—
—
—
数据输出高阻抗的时间
太赫兹
从CK ， / CK
数据输出低阻抗时间
TLZ
CK ， / CK
阅读序言
阅读后同步
DQ和DM输入建立时间
DQ和DM输入保持时间
DQ和DM输入脉冲宽度
写序言建立时间
写序言
写后同步
写命令第一DQS
闭锁过渡
DQS下降沿从保持时间
CK
DQS输入高电平脉冲宽度
DQS输入低脉冲宽度
地址和控制输入设置
时间
tRPRE
tRPST
TDS
TDH
tDIPW
tWPRES 0
tWPRE
tWPST
tDQSS
0.25
0.4
0.75
0.2
0.2
0.35
0.35
0.75
DQS下降沿到CK建立时间TDSS
tDSH
tDQSH
tDQSL
TIS
初步数据表E0274E40 （版本4.0 ）
12
